2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
Numéro de type:GaN-non-polaire
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1PC
Conditions de paiement:L / C, T / T
Délai de livraison:2-4 semaines
Détails d'emballage:caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
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Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Modèle de substrats GaN de 2 pouces, plaquette de GaN pour LED, plaquette de nitrure de gallium semi-conducteur pour ld, modèle de GaN, plaquette de GaN mocvd, substrats de GaN autonomes par taille personnalisée, plaquette de GaN de petite taille pour LED, plaquette de nitrure de gallium mocvd 10x10mm, 5x5mm, GaN 10x5mm plaquette, substrats GaN autoportants non polaires (plan a et plan m)
Caractéristique de la tranche de GaN
| Produit | Substrats de nitrure de gallium (GaN) | ||||||||||||||
| Description du produit: | Le modèle Saphhire GaN est présenté Méthode d'épitaxie en phase vapeur l'hydrure épithélial (HVPE).Dans le procédé HVPE, l'acide produit par la réaction GaCl, qui est son tour mis réagir avec de l'ammoniac pour produire du nitrure de gallium fond.Le modèle GaN épitaxial est un moyen rentable de remplacer le substrat monocristallin de nitrure de gallium. | ||||||||||||||
| Paramètres techniques: |
| ||||||||||||||
| Caractéristiques: | Film épitaxial de GaN (Plan C), type N, 2"* 30 microns, saphir ; Film épitaxial de GaN (plan C), type N, saphir 2"* 5 microns ; Film épitaxial de GaN (plan R), type N, saphir 2 "* 5 microns ; Film épitaxial de GaN (plan M), type N, saphir 2"* 5 microns. Film AL2O3 + GaN (Si dopé de type N);Film AL2O3 + GaN (Mg dopé de type P) Remarque : selon la demande du client, orientation et taille spéciales de la prise. | ||||||||||||||
| Emballage standard: | 1000 salles blanches, 100 sacs propres ou emballage en boîte unique |
Application
Le GaN peut être utilisé dans de nombreux domaines tels que
l'affichage LED, la détection et l'imagerie haute énergie,
Écran de projection laser, dispositif d'alimentation, etc.
- Écran de projection laser, dispositif d'alimentation, etc.
- Stockage des dates
- Éclairage économe en énergie
- Affichage fla couleur
- Projections laser
- Appareils électroniques haut rendement
- Appareils micro-ondes haute fréquence
- Détection haute énergie et imaginer
- Nouvelle énergie Solaire hydrogène technologie
- Détection de l'environnement et médecine biologique
- Bande térahertz de la source lumineuse
Caractéristiques:
Spécification du modèle GaN
Fichier de spécification GaN autonome de 2 4 pouces
| Article | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Dimensions | e 50,8 mm ± 1 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 h | ||
| Surface utile | > 90% | ||
| Orientation | Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35° ± 0,15° | ||
| Orientation Appartement | (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm | ||
| Appartement d'orientation secondaire | (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0mm | ||
| TTV (Variation d'épaisseur totale) | < 15h | ||
| ARC | < 20h | ||
| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant (dopé Fe) |
| Résistivité(3O0K) | < 0,1 Q・cm | < 0,05 Q・cm | >106 Q・cm |
| Densité de luxation | De 1x105 cm-2 3x106 cm-2 | ||
| Polissage | Surface avant : Ra < 0,2 nm (polie) ;ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) | ||
| Surface arrière : 0,5 ~ 1,5 h ;option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche de classe 100, en conteneur mono wafer, sous atmosphère d'azote. | ||
| taille | Substrats GaN 4" |
| Article | GaN-FS-N |
| Dimensions taille | Ф 100,0 mm ± 0,5 mm |
| Épaisseur du substrat | 450 ± 50 µm |
| Orientation du substrat | Axe C (0001) vers l'axe M 0,55 ± 0,15° |
| polonais | SSP ou DSP |
| Méthode | PEHV |
| ARC | <25UM |
| TTV | <20um |
| Rugosité | <0,5 nm |
| résistivité | 0.05ohm.cm |
| Dopant | Si |
(002) FWHM&(102) FWHM | <100arc |
Quantité et taille maximale des trous et fosses | Qualité de production ≤23@1000 um; Qualité de recherche ≤68@1000 um |
| Grade factice ≤112@1000 um | |
| Surface utilisable | Niveau P>90 % ;Niveau R> 80 % : Niveau D> 70 % (exclusion des défauts de bord et de macro) |
| Substrats GaN autoportants non polaires (plan a et plan m) | ||
| Article | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| Dimensions | 5,0 mm × 5,5 mm | |
| 5,0 mm × 10,0 mm | ||
| 5,0 mm × 20,0 mm | ||
| Taille personnalisée | ||
| Épaisseur | 330 ± 25 µm | |
| Orientation | plan a ± 1° | plan m ± 1° |
| TTV | ≤15 µm | |
| ARC | ≤20 µm | |
| Type de conduction | Type N | |
| Résistivité (300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densité de luxation | Moins de 5x106 cm-2 | |
| Surface utile | > 90% | |
| Polissage | Surface avant : Ra < 0,2 nm.Epi-ready poli | |
| Surface arrière : Sol fin | ||
| Emballer | Conditionné en salle blanche de classe 100, en conteneur mono wafer, sous atmosphère d'azote. | |
2.ZMKJ fournit des plaquettes de GaN l'industrie de la microélectronique et de l'optoélectronique d'un diamètre de 2" 4".
Les tranches épitaxiales de GaN sont développées par la méthode HVPE ou MOCVD, peuvent être utilisées comme substrat idéal et excellent pour les appareils haute fréquence, haute vitesse et haute puissance.Actuellement, nous pouvons proposer une plaquette épitaxiale GaN pour la recherche fondamentale et le développement de produits de dispositifs, y compris le modèle GaN, AlGaN
et InGaN.Outre la plaquette base de GaN standard, vous êtes invités
discuter de la structure de votre couche épi.
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
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