Gaufrette noire de phosphure d'indium, gaufrette de semi-conducteur pour l'application de LD

Numéro de type:InP-001
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Capacité d'approvisionnement:1000pcs/month
Délai de livraison:1-4weeks
Détails d'emballage:caisse simple de gaufrette
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Shanghai Shanghai China
Adresse: Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
dernière connexion fois fournisseur: dans 13 heures
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Détails du produit

substrats d'INP de 2inch 3inch 4inch pour l'application de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP, gaufrette de monocristal

L'INP présentent

               

Monocristal d'INP
 

La croissance de tCZ (méthode modifiée de Czochralski) est employée pour tirer un monocristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant partir d'une graine. Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition du phosphure d'indium. nous a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.

La technique de tCZ s'améliore sur grce de méthode de LEC une technologie thermique de cloison en liaison avec une modélisation numérique des états thermiques de croissance. le tCZ est une technologie mûre rentable avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule.

 

Spécifications

ArticleDiamètreTypeconcentration de transportMobilitéRésistivitéMPD
S-INP2    N     (0.8-6) X10^18(1.5-3.5) x10^3 <500
3<500
4<1x10^3
Fe-INP2/3/4    SI   >1000>0.5x10^7>5x10^3
Zn-INP2/3/4    P    (0.6-6) X10^18     50-70 <1x10^3
Aucun INP de dopant2    N   <3x10^16(3.5-4) x10^3 <5x10^3
 Autre
Orientation(100)/(111) ±0.5°Planéité
TTVArcChaîne
<12um<12um≤15um
1er de l'appartement16±2mm22±2mm32.5±2.5mm
2st de l'appartement8±1mm11±2mm32.5±2.5mm
Surface : 1sp ou 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, ou par adapté aux besoins du client

 

2. Étape de processus de gaufrette d'INP

 

Traitement de gaufrette d'INP
Chaque lingot est coupé en gaufrettes qui sont enroulées, poli et surface préparée pour l'épitaxie. Le processus global est détaillé ci-dessous.

Spécifications et identification platesL'orientation est indiquée sur les gaufrettes par deux appartements (longtemps plats pour l'orientation, le petit appartement pour l'identification). Habituellement la norme d'E.J. (entre l'Europe et le Japon) est employée. La configuration plate alternative (États-Unis) est en grande partie employée pour Ø 4" des gaufrettes.
Orientation du bouleDes gaufrettes précises (100) ou misoriented sont offertes.
Exactitude de l'orientation de DEEn réponse aux besoins de l'industrie optoélectronique, nous gaufrettes d'offres avec l'excellente exactitude du de l'orientation : < 0,02 degrés. Cette caractéristique est un avantage important aux clients faisant bord-émettre des lasers et également aux fabricants qui se fendent pour séparer le – de matrices permettant leurs concepteurs de réduire le ” immobilier de “ a gaspillé dans les rues.
Profil de bordIl y a deux Spéc. communes : bord chimique traitant ou traitant mécanique de bord (avec une broyeur de bord).
PolonaisDes gaufrettes sont polies au moyen d'un processus produit-mécanique ayant pour résultat un plat, surface.we sans dommage fournit les deux (avec l'arrière enroulé et gravé l'eau-forte) gaufrettes polies polies et du côté simple du côté double.
Préparation de la surface et emballage finauxLes gaufrettes passent par beaucoup d'étapes chimiques pour éliminer l'oxyde produit pendant le polissage et pour créer une surface propre avec la couche stable et uniforme d'oxyde qui est prête pour la croissance épitaxiale - la surface epiready et celle ramène des oligoéléments extrêmement - les niveaux bas. Après inspection finale, les gaufrettes sont empaquetées d'une manière dont maintient la propreté extérieure.
Les instructions spécifiques pour le retrait d'oxyde sont disponibles pour tous les types de technologies épitaxiales (MOCVD, MBE).
Base de donnéesEn tant qu'élément de notre programme régulation de processus/total statistique de gestion de la qualité, la base de données étendue enregistrant les propriétés électriques et mécaniques pour chaque lingot aussi bien qu'analyse en cristal de qualité et extérieure des gaufrettes sont disponible. chaque étape de la fabrication, le produit est inspecté avant le dépassement la prochaine étape pour maintenir un haut niveau de la cohérence de qualité de la gaufrette la gaufrette et du boule au boule.

 

Échantillon

                                                                                                                  

 

QC. norme

                                                                                                        

 

Paquet et livraison

 

FAQ :

 

Q : Quel est votre MOQ ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 5 PCs.

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10-30 PCs.

 

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

: (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.

(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider les embarquer.

Le fret est conforme au règlement réel.

 

Q : Comment payer ?

: T/T, Paypal, paiement sûr et paiement d'assurance.

 

Q : Quel est le délai de livraison ?

: (1) pour les produits standard

Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.

Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou pendant 3 semaines après que vous passez la commande.

(2) pour les produits en forme spéciale, la livraison est 4 semaines de travail après que vous passiez la commande.

 

Q : Avez-vous les produits standard ?

: Nos produits standard en stock.

 

Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?

: Oui, nous pouvons adapter le matériel aux besoins du client, caractéristiques pour vos composants optiques basés sur vos besoins.

 

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Gaufrette noire de phosphure d'indium, gaufrette de semi-conducteur pour l'application de LD

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