3inch 76.2mm S de type n a enduit la gaufrette d'arséniure de gallium pour la microélectronique
Number modèle:GaAs-3inch
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Capacité d'approvisionnement:100pcs/month
délai de livraison:1-4weeks
Détails de empaquetage:casstle 25pcs dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Metod 3inch de type n, 4inch, type semi-isolant de VFG de gaufrettes d'arséniure de gallium de 6inch dia150mm GaAs pour la microélectronique,
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Gaufrettes d'arséniure de gallium de GaAs)
L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium et arsenic. C'est un semi-conducteur direct de bandgap d'III-V avec une structure cristalline de blende de zinc.
L'arséniure de gallium est employé dans la fabrication des dispositifs tels que des circuits intégrés de fréquence micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques micro-ondes, des diodes électroluminescentes infrarouges, des diodes lasers, des piles solaires et des fenêtres optiques. [2]
La GaAs est employée souvent comme matériel de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs d'III-V comprenant l'arséniure de gallium et d'aluminium d'arséniure de gallium d'indium et et d'autres.
Caractéristique et application de gaufrette de GaAs
| Caractéristique | Champ d'application |
|---|---|
| Mobilité des électrons élevée | Diodes électroluminescentes |
| Haute fréquence | Diodes lasers |
| Efficacité de conversion élevée | Dispositifs photovoltaïques |
| Consommation de puissance faible | Haut transistor de mobilité des électrons |
| Espace de bande direct | Transistor bipolaire d'hétérojonction |
Spécifications
GaAs non dopée
Caractéristiques semi-isolantes de GaAs
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Carbone |
| Gaufrette Shape* | Rond (diamètre : 2", 3", 4", et 6") |
| Orientation extérieure ** | (100) ±0.5° |
» Gaufrettes *5 disponibles sur demande
** D'autres orientations peut-être disponibles sur demande
| Résistivité (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilité (cm2/V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 |
| Densité de lancement gravure l'eau forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| CHAÎNE (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTAILLE |
| DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | NON-DÉTERMINÉ |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le
premier poids) + USD12.0/kg
Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la lentille de boule, la
lentille de powell et la lentille de collimateur :
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est
2 ou 3 semaines de travail après ordre.
(2) pour les produits -standard, la livraison est 2 ou 6 semaines
de travail après que vous passiez la commande.
Q : Comment payer ?
T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et
assurance commerciale sur Alibaba et etc….
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est
5pcs-20pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.
Emballage – Logistcs
Les soucis de Worldhawk détaille chaque du paquet, nettoyage,
antistatique, traitement de choc. Selon la quantité et la forme du
produit, nous prendrons un processus de empaquetage différent !
3inch 76.2mm S de type n a enduit la gaufrette d'arséniure de gallium pour la microélectronique
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