Substrat en céramique de catalyseur des gaufrettes DSP de 4H-N 5x5mm sic
Number modèle:grande pureté 4h-semi non dopé
Point d'origine:porcelaine
Quantité d'ordre minimum:10PCS
Conditions de paiement:Western Union, T/T
Capacité d'approvisionnement:5000pcs/months
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Waffles haute pureté HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10 mm 5x5 mm sic DSP
Application du carbure de silicium dans l'industrie des appareils
électriques
Unité de performance Silicium Si Carbure de silicium SiC Nitrure de gallium GaN
L'écart de bande eV 1.12 3.26 3.41
Décomposition du champ électrique MV/cm 0,23 2,2 3.3
Mobilité des électrons cm^2/Vs 1400 950 1500
Vitesse de dérive 10^7 cm/s 1 2,72.5
Conductivité thermique W/cmK 1,5 3,8 1.3
Les plaquettes en SiC (carbure de silicium) de 4H-N 5x5 mm avec des
surfaces polies double face (DSP) sont très recherchées pour leurs
propriétés avancées, en particulier dans la haute puissance, la
haute fréquence,et applications haute températureEn tant que
substrat semi-conducteur, le SiC 4H-N se distingue par sa
conductivité thermique supérieure, son champ électrique de rupture
élevée et son large espace de bande,ce qui en fait un candidat
idéal pour l'électronique de puissance et les appareils RF
(radiofréquence)Ces caractéristiques permettent une conversion plus
efficace de l'énergie dans les véhicules électriques, les systèmes
d'énergie renouvelable et les technologies de communication
avancées telles que la 5G.dans des substrats de catalyseur en
céramiqueLa résistance élevée au SiC la corrosion et la résistance
mécanique dans des conditions extrêmes offrent un environnement
optimal pour les réactions chimiques, favorisant des processus
catalytiques éconergétiques.Pour les industries telles que les
systèmes d'échappement automobilesDans le domaine de
l'environnement, les substrats de catalyseurs base de SiC
contribuent réduire les émissions et améliorer l'efficacité globale
du procédé.durabilité, et l'efficacité énergétique souligne son
rôle central dans les progrès des semi-conducteurs et les
applications catalytiques.
ZMSH propose des plaquettes SiC et Epitaxy: La plaquette SiC est le matériau semi-conducteur large bandeau de troisième génération avec d'excellentes performances.champ électrique décomposition élevéeLes plaquettes de SiC ont également de grandes perspectives d'application dans l'aérospatiale, le transport ferroviaire, le transport aérien et le transport aérien.génération d'énergie photovoltaïqueLa technologie de l'électronique de puissance est en train d'évoluer et de se développer.chaque gaufre est dans un récipient de gaufre, moins de 100 salles de classe propres.
Les plaquettes de SiC prêtes l'épinectomie sont de type N ou
semi-isolantes, leur polytypes sont 4H ou 6H dans différents
niveaux de qualité, Densité de micropipes (MPD): libre, <5/cm2,
<10/cm2, <30/cm2, <100/cm2,et la taille disponible est de
2En ce qui concerne l'épitaxy SiC, son épaisseur de plaquette
plaquette est uniforme: 2% et son épaisseur de plaquette plaquette
est uniforme: 4%. Les concentrations de dopage disponibles
proviennent du non dopé E15, E16, E18, E18/cm3.Les couches n et p
sont toutes deux disponibles., les défauts d'épi sont inférieurs
20/cm2; tout substrat doit être utilisé de qualité de production
pour la croissance d'épi; les couches d'épi de type N < 20
microns sont précédées d'une couche tampon de type n, E18 cm-3, 0,5
μm;Les couches d'épinephrine de type N≥20 microns sont précédées de
couches d'épinephrine de type n, E18, couche tampon de 1 5 μm; le
dopage de type N est déterminé comme une valeur moyenne sur
l'ensemble de la plaque (17 points) l'aide de la sonde CV
Hg;L'épaisseur est déterminée comme une valeur moyenne sur
l'ensemble de la plaque (9 points) l'aide du FTIR..
2. taille des substrats standard
4 pouces de diamètre de carbure de silicium (SiC) Spécification du substrat | |||||||||
| Grade | Nul degré MPD | Grade de production | Grade de recherche | Grade de factice | |||||
| Diamètre | 76.2 mm±0,3 mm ou 100 ±0,5 mm; | ||||||||
| Épaisseur | 500 ± 25 μm | ||||||||
| Orientation de la gaufre | 0° dévié (0001) | ||||||||
| Densité des micropipes | ≤ 1 cm2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 50 cm2 | |||||
| Résistance | 4H-N | 00,015 0,028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 00,02 0,1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥ 1E7 Ω·cm | ||||||||
| Principaux Plate et longueur | {10-10} ± 5,0°,32.5 mm±2,0 mm | ||||||||
| Longueur plate secondaire | 18.0 mm±2,0 mm | ||||||||
| Orientation plat secondaire | Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine principale ±5,0° | ||||||||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 15 μm /≤ 25 μm /≤ 40 μm | ||||||||
| Roughness (graisseuse) | RAP ≤ 1 nm, RAP ≤ 0,5 nm | ||||||||
| Les fissures dues la lumière de haute intensité | Aucune | 1 permis, ≤ 2 mm | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm | ||||||
| Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse | Surface cumulée ≤ 1% | Surface cumulée ≤ 1% | Surface cumulée ≤ 3% | ||||||
| Zones de polytypes par intensité lumineuse | Aucune | Surface cumulée ≤ 2% | Surface cumulée ≤ 5% | ||||||
Les plaquettes et lingots Sic de 2 6 pouces et d'autres tailles personnalisées peuvent également être fournis.
3- Affichage détaillé des produits
Livraison et colis
Questions fréquentes
- Q1. Est-ce que votre entreprise est une usine ou une entreprise commerciale?
- Nous sommes l'usine et nous pouvons également exporter nous-mêmes.
- Q2.Votre entreprise travaille uniquement avec les affaires de la SIC?
- Oui, mais nous ne pouvons pas faire pousser le cristal de sic par nous-mêmes.
- Pouvez-vous fournir un échantillon?
- Oui, nous pouvons fournir des échantillons de saphir selon les exigences du client.
- Vous avez un stock de galettes sic?
- Nous avons généralement des galettes de taille standard de 2 6 pouces en stock.
- Q5.Où est située votre entreprise?
- Notre société est située Shanghai, en Chine.
- Q6. Combien de temps faut-il pour obtenir les produits?Je suis désolée.
- Généralement, il faudra 3 4 semaines pour le traitement. Cela dépend de la taille des produits.
Substrat en céramique de catalyseur des gaufrettes DSP de 4H-N 5x5mm sic
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