Al2O3 99,999% Sous-strats de plaquettes de saphir à base de cristal unique de 4 pouces SSP/DSP Dia100mm
Numéro de modèle:Des plaquettes de saphir 4 pouces Dia100mm A-plan
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:25 pièces
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:20000pc/month
Délai de livraison:dans 15 jours
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Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
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Détails du produit
4 pouces SSP/DSP Dia100mm A-Plane Axe-C Sapphire Wafer Substrats Porteur cristal unique
Description du produit:
Le saphir est un matériau doté d'une combinaison unique de propriétés physiques, chimiques et optiques, qui le rendent résistant aux températures élevées, aux chocs thermiques, l'érosion par l'eau et le sable et aux rayures.Il est un matériau de fenêtre supérieur pour de nombreuses applications IR de 3 μm 5 μmLes substrats de saphir en plan C sont largement utilisés pour la culture de composés III-V et II-VI tels que le GaN pour les diodes LED bleues et les diodes laser.tandis que les substrats de saphir en plan R sont utilisés pour le dépôt hétéro-épitaxial de silicium pour les applications de circuits intégrés microélectroniques.
Caractéristiques:
- Tailles de gaufres de saphir de 2 150 mm, provenant de l'inventaire
- Très haute qualité, faible défectuosité et TTV serré et planéité
- Haute pureté 99,998%
- Disponible polissé une ou deux faces
- Orientations du plan C, A et R
- Disponible pour les petits lots et le marquage laser des plaquettes
- Temps de livraison court
Paramètres techniques:
| Propriétés mécaniques | |
| Densité 20°C | 30,98 g/cm3 |
| Dureté | - Il est 1500. Mohs: 9 |
| Résistance la traction | 275 400 MPa 40,000 - 58 000 psi |
| Résistance la flexion | 480 895 MPa 70,000 130,000 psi |
| Résistance la compression (ultime) | 20,0 GPa / 300 000 psi |
| Module de Young (élasticité) | 345 GPa / 50 x 106 psi |
| Module en vrac (compression) | 250 GPa / 36 x 106 psi |
| Module de cisaillement (rigidité) | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
| Module de rupture | 350 690 MPa / 50 000 100 000 psi |
| Point de fusion | 2040 °C / 3700 °F / 2310 K |
Applications:
Le substrat de saphir ZMSH Sapphire épi-prêt est une solution parfaite pour un large éventail d'applications.et est certifié ROHS. La quantité minimale de commande est de 25pcs, et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont de 25pcs boîte de cassette, et le délai de livraison est dans les 30 jours. Les conditions de paiement sont T / T,et la capacité d'approvisionnement est de 20000 PC/moisLe bord de la gaufre en saphir est recouvert d'une gaufre protectrice dont l'épaisseur est supérieure 0,08 mm. Le TTV est ≤ 3 μm, la qualité de surface est de 60/40, et le parallélisme est ≤ 10 μm.Il peut être utilisé pour le saphir DSP., et est un choix idéal pour le substrat de saphir épi-prêt.
Personnalisation:
| Matériaux cristallins | 99,999%, haute pureté, Al2O3 monocristallin | |
| Grade | Prime, épi-prêt | |
| Orientation de la surface | A-plan ((11 20) | |
| Diamètre | 500,8 mm +/- 0,1 mm | |
| Épaisseur | 430 μm +/- 25 μm | |
| L'orientation principale est plate | C-plan ((0001) +/- 0,2° | |
| Longueur plate primaire | 16.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Polie une seule face | Surface avant | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| (SSP) | Surface arrière | Rame finement moulée, Ra = 0,8 1,2 μm |
| Polissage double face | Surface avant | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| (DSP) | Surface arrière | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| - Je vous en prie. | < 10 μm | |
| Le WARP | < 10 μm | |
| Nettoyage / Emballage | nettoyage des salles blanches et emballages sous vide de classe 100, | |
| 25 pièces dans un emballage en cassette ou en un seul emballage. | ||
Assistance et services:
Outre la fabrication de lentilles optiques et de semi-plaquettes, nous pouvons également fournir des services de conception optique et d'OEM.
Et notre service après-vente est attentionné, vous vous sentirez l'aise ici.Nous possédons la première ligne de production nationale et d'excellents travailleurs qui sont principalement des chercheurs et des techniciens de la célèbre société chinoise de plaquettes de semi-conducteurs.Ils ont de l'expérience et de la créativité pour concevoir et produire une large gamme de lentilles optiques et de gaufres.
Autres produits:
FAQ:
Q: Quel est le nom de marque de Sapphire Wafer?
R: Le nom de marque de Sapphire Wafer est ZMSH.
Q: Où est le lieu d'origine de la gaufre de saphir?
R: Le lieu d'origine de la gaufre en saphir est la Chine.
Q: Quelle est la certification de la gaufre en saphir?
R: La certification de la gaufre en saphir est ROHS.
Q: Quelle est la quantité minimale de commande de gaufres en saphir?
R: La quantité minimale de commande de gaufres en saphir est de 25 pièces.
Al2O3 99,999% Sous-strats de plaquettes de saphir à base de cristal unique de 4 pouces SSP/DSP Dia100mm
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