2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um
Numéro de modèle:Plaquettes de phosphure d'indium
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:5 pièces
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Détails de l'emballage:boîte adaptée aux besoins du client
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um
Description du produitWafer InP:
Les puces InP (phosphure d'indium) sont un matériau semi-conducteur couramment utilisé pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques hautes performances tels que les photodiodes, les lasers et les capteurs photoélectriques.
- Structure cristalline: les puces InP adoptent une structure cristalline cubique avec une structure en treillis très ordonnée.
- La différence d'énergie: les puces InP ont une petite différence d'énergie directe d'environ 1,35 eV, qui est un matériau semi-conducteur dans la gamme de la lumière visible.
- Indice de réfraction: l'indice de réfraction d'une plaque InP varie avec la longueur d'onde de la lumière et est d'environ 3,17 dans la plage visible.
- Conductivité thermique: InP a une conductivité thermique élevée d'environ 0,74 W/ ((cm·K).
- Mobilité électronique: les puces InP ont une mobilité électronique élevée d'environ 5000 cm^2/(V·s).
- Taille de la puce: Les puces InP sont généralement fournies sous forme de puce ronde et peuvent varier en diamètre de quelques millimètres plusieurs pouces.
- Caractéristiques de surface: la surface de la puce InP est généralement spécialement traitée pour améliorer sa planéité et sa propreté.
Caractéristiques duPlaquette InP:
La puce InP (phosphure d'indium) est largement utilisée dans le domaine des appareils optoélectroniques comme matériau de substrat des appareils semi-conducteurs. Voici quelques-uns des avantages des matériaux de substrat de puce InP:
- Faille d'énergie directe: les puces InP ont une petite faille d'énergie directe (environ 1,35 eV), ce qui leur permet d'absorber et d'émettre efficacement des signaux lumineux dans la plage visible.
- Mobilité électronique élevée: Les puces InP ont une mobilité électronique élevée (environ 5000 cm2 / V), ce qui les rend présentant d'excellentes propriétés électriques dans les appareils électroniques grande vitesse.
- Effets photoélectriques forts: Les puces InP ont un effet photoélectrique fort, ce qui les rend très performantes dans des appareils tels que les photodétecteurs et les photodiodes.
- Stabilité et fiabilité: les puces InP ont une bonne stabilité thermique et de bonnes propriétés électriques, ce qui leur permet de fonctionner dans des environnements haute température et fort champ électrique.
- Techniques de préparation étendues: Les plaquettes InP peuvent être cultivées par diverses techniques de préparation, telles que la dépôt de vapeur chimique métal-organique (MOCVD) et l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE).
Paramètres techniques deWafer InP:
| Nom de l'article | Paramètre | OUM |
| Matériel | Résultats de l'enquête | |
| Type de conduction/Dopant | Le nombre d'étoiles est le suivant: | |
| Grade | Espèce de crétin! | |
| Diamètre | 100.0+/-0. Je vous en prie.3 | mm |
| Les orientations | (100) +/- 0,5° | |
| Zone jumelle lamellaire | une surface monocristalline utile avec une orientation (100) > 80% | |
| L'orientation principale est plate | Le montant de l'allocation est calculé partir du montant de l'allocation | mm |
| Longueur plate primaire | 32.5+/-1 | |
| Orientation plat secondaire | Le rapport annuel de l'UE | |
| Longueur plate secondaire | 18+/-1 |
Applications deWafer InP:
La puce InP (phosphure d'indium), en tant que matériau de substrat des dispositifs semi-conducteurs, possède d'excellentes propriétés photoélectriques et électriques.Voici quelques-uns des principaux domaines d'application des matériaux de substrate de puce InP:
- Communication optique: Il peut être utilisé pour fabriquer des émetteurs de lumière (tels que les lasers) et des récepteurs de lumière (tels que les photodiodes) dans les systèmes de communication par fibre optique.
- Détection et détection optiques: Les photodétecteurs basés sur des puces InP peuvent convertir efficacement des signaux optiques en signaux électriques pour la communication optique, la mesure optique,analyse spectrale et autres applications.
- Technologie laser: les lasers basés sur l'INP sont largement utilisés dans la communication optique, le stockage optique, le liDAR, le diagnostic médical et le traitement des matériaux.
- Circuits intégrés optoélectroniques: les puces InP peuvent être utilisées pour fabriquer des circuits intégrés optoélectroniques (OEics),qui est l'intégration de dispositifs optoélectroniques et de dispositifs électroniques sur la même puce.
- Cellules solaires: les puces InP ont un rendement de conversion photoélectrique élevé, de sorte qu'elles peuvent être utilisées pour fabriquer des cellules solaires efficaces.
FAQ:
Q1: Quelle est la marqueWafer InP?
A1: LePhosphure d'indiumest fabriqué par ZMSH.
Q2: Quel est le diamètre de laPhosphure d'indium?
A2: Le diamètre dePhosphure d'indiumest de 2'', 3'', 4''.
Q3: Où se trouve lePhosphure d'indium- Je ne sais pas.
A3: LePhosphure d'indiumest de Chine.
Q4: Est-ce que lePhosphure d'indiumCertifié ROHS?
R4: Oui, lePhosphure d'indiumest certifié ROHS.
Q5: Combien?Phosphure d'indiumJe peux acheter des galettes la fois?
A5: Quantité minimale de commande de la commandePhosphure d'indiumC'est 5 pièces.
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