GaP Wafers semi-isolées P Type N Type 400um 500um Émission de lumière verte LED rouge verte

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Définition:

Le phosphure de gallium est un matériau semi-conducteur couramment utilisé, qui présente les caractéristiques d'une conductivité élevée et d'une efficacité de conversion photoélectrique élevée.Le phosphure de gallium peut être utilisé dans la fabrication de cellules solairesLe phosphure de gallium (GaP) est un matériau photonique important qui est utilisé depuis longtemps comme matériau actif dans les diodes électroluminescentes vertes.Le GaP est une bande passante indirecte (2.26 eV) semi-conducteur haut indice de réfraction (n> 3) et non linéaire de troisième ordre, transparent dans la gamme de longueurs d'onde de 450 nm 11 μm.en tant que cristal non centrosymétrique avec un coefficient piézoélectrique non linéaire et non nul de grand deuxième ordre, est bien adapté aux futures applications de photonics intégrées dans les bandes visible, proche infrarouge, télécommunications et infrarouge moyen.

Caractéristiques:
Le GaP de phosphure de gallium, un semi-conducteur important aux propriétés électriques uniques comme les autres matériaux composés III-V, se cristallise dans la structure cubique ZB thermodynamiquement stable,est un matériau cristallin semi-transparent jaune-orange avec un écart de bande indirecte de 2.26 eV (300K), qui est synthétisé partir de gallium et de phosphore de haute pureté 6N 7N et transformé en cristal unique par la technique Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Le cristal de phosphure de gallium est dopé de soufre ou de tellurium pour obtenir un semi-conducteur de type n, et du zinc dopé en conductivité de type p pour une fabrication ultérieure en plaquette souhaitée, qui a des applications dans les systèmes optiques, les appareils électroniques et autres appareils optoélectroniques.Une gaufre GaP cristal unique peut être préparée pour votre LPE, MOCVD et MBE application épitaxielle. Wafer GaP de phosphure de gallium cristal unique de haute qualité de type p,La conductivité n-type ou non dopée de Western Minmetals (SC) Corporation peut être offerte en taille 2′′ et 3′′ (50mm), 75 mm de diamètre), orientation <100>,<11> avec finition de surface de procédé taillé, poli ou épi-prêt.

Paramètres techniques:

Applications:

Dispositifs d'éclairage LED: Le GaP sert de matériau LED utilisé dans les appareils d'éclairage et d'affichage.

Cellules solaires: utilisées dans la fabrication de panneaux solaires pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Instruments d'analyse spectrale: utilisés dans les laboratoires et la recherche scientifique pour l'analyse spectrale optique.

Amplificateurs semi-conducteurs: Appliqués dans les amplificateurs et les circuits intégrés pour les applications RF et micro-ondes.

Photodétecteurs: utilisés dans les capteurs et détecteurs optiques pour les mesures optiques et les applications de détection.

Appareils RF micro-ondes: utilisés dans les circuits haute fréquence et micro-ondes en tant que composants hautes performances.

Appareils électroniques haute température: utilisés dans les appareils électroniques fonctionnant dans des environnements haute température.

Appareils électroniques haute fréquence: utilisés dans les systèmes électroniques haute fréquence, tels que les amplificateurs de puissance RF.

Autres produits:

Wafer GaN:

FAQ:

Q: Quel est le nom de marque de laPlaquettes semi-isolées GaP?

R: Nom de marque du produitPlaquettes semi-isolées GaPest ZMSH.

Q: Quelle est la certification de laPlaquettes semi-isolées GaP?

A: La certification de laPlaquettes semi-isolées GaPest ROHS.

Q: Où se trouve le lieu d'origine de laPlaquettes semi-isolées GaP?

R: Le lieu d'origine du produitPlaquettes semi-isolées GaPest la Chine.

Q: Quelle est la MOQ de laGaP Waffles semi-isolées la fois?

R: Le MOQ du produitPlaquettes semi-isolées GaPC'est 25 pièces la fois.