4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V
Numéro de modèle:Substrat SiC
Lieu d'origine:Chine
Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:4 à 6 semaines
Matériel:Monocristal de SiC
Le type:4H-P / 6H-P
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Shanghai Shanghai China
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
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Détails du produit
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement, comprenant les éléments suivants:8 pouces de SiC, 12 pouces SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, type HPSI
propos du substrat SiC de type P
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- un cristal hexagonal (4H SiC), fabriqué partir de monocristal SiC
- haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.
- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements haute température.
- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques haute fréquence et haute puissance.
Description du substrat SiC de type P
Le substrat SiC de type P est un important matériau semi-conducteur largement utilisé dans les appareils électroniques haute puissance et haute fréquence.le substrat SiC de type P présente les caractéristiques de type P, ce qui permet au matériau de fournir une bonne conductivité électrique et une forte concentration de porteurs.Son excellente conductivité thermique et sa tension de rupture élevée lui permettent de maintenir des performances stables dans des conditions extrêmes.
Le substrat SiC de type P a une excellente stabilité haute
température et une résistance aux rayonnements et peut fonctionner
normalement dans des environnements haute température.Les substrats
4H-SiC présentent une perte d'énergie plus faible sous des champs
électriques élevés et conviennent pour une utilisation dans les
véhicules électriquesEn outre, l'excellente conductivité thermique
contribue améliorer l'efficacité de la dissipation thermique de
l'appareil et prolonger sa durée de vie.
Les substrats SiC de type P sont largement utilisés dans les
appareils électriques, les appareils RF et les appareils
optoélectroniques.
Ils sont souvent utilisés pour fabriquer des dispositifs tels que les MOSFET de type P et les IGBT pour répondre aux besoins de haute tension, haute température et haute fréquence.Les substrats SiC de type 4H-P joueront un rôle de plus en plus important dans la future électronique de puissance et les réseaux intelligents.
Détails du substrat SiC de type P
Propriété | 4H-SiC de type P, cristal unique | 6H-SiC de type P, cristal unique |
| Paramètres de la grille | a=3,082 Å c=10,092 Å | a=3,09 Å c=15,084 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC | Le code de l'équipe |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3.23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice de réfraction @750 nm | n = 2,621 né = 2.671 | ne = 2,612 ne = 2.651 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
Conductivité thermique |
3 5 W/cm·K@298K |
3 5 W/cm·K@298K |
| Le band-gap | 3.26 eV | 30,02 eV |
| Champ électrique de rupture | 2 5 × 106 V/cm | 2 5 × 106 V/cm |
Vitesse de dérive de saturation | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Échantillons de substrat SiC de type P
propos de nous
Notre entreprise, ZMSH, est spécialisée dans la recherche, la
production, le traitement et la vente de substrats semi-conducteurs
et de matériaux cristallins optiques.
Nous avons une équipe d'ingénieurs expérimentés, une expertise en
gestion, des équipements de traitement de précision et des
instruments de test,nous fournissant des capacités extrêmement
fortes dans le traitement de produits non standard.
Nous pouvons rechercher, développer et concevoir divers nouveaux
produits en fonction des besoins des clients.
La société adhérera au principe de "centré sur le client, basé sur
la qualité" et s'efforcera de devenir une entreprise de haute
technologie de premier plan dans le domaine des matériaux
optoélectroniques.
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Questions fréquentes
1. Q: Comparé la N-Type, que pensez-vous de la P-Type?
R: Les substrats P-type 4H-SiC, dotés d'éléments trivalents comme l'aluminium, ont des trous comme porteurs majoritaires, offrant une bonne conductivité et stabilité haute température.Substrats de type N, dopé avec des éléments pentavalents comme le phosphore, ont des électrons comme porteurs majoritaires, ce qui entraîne généralement une plus grande mobilité électronique et une résistivité plus faible.
2Q: Quelles sont les perspectives du marché pour le SiC de type P?
R: Les perspectives du marché du SiC de type P sont très positives,
en raison de la demande croissante d'électronique de puissance
haute performance dans les véhicules électriques, les systèmes
d'énergie renouvelable,et des applications industrielles avancées.
4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V
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