2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:10 pour cent
Délai de livraison:dans 30days
Dureté de surface:HT0,3>2500
Densité:3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:4,5 X 10-6/K
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
dernière connexion fois fournisseur:
dans 13 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Description du produit:
2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type
dopé haute teneur en P diamètre 50,8 mm
Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau
semi-conducteur large bande avec une bonne conductivité thermique
et une résistance haute température,qui est largement utilisé dans
les appareils électroniques haute puissance et haute fréquenceLe
dopage de type P est réalisé par l'introduction d'éléments tels que
l'aluminium (Al), ce qui rend le matériau électropositif et adapté
des conceptions spécifiques de dispositifs électroniques.qui est
adapté au fonctionnement dans des environnements haute température
et haute tensionLa conductivité thermique est supérieure celle de
nombreux matériaux semi-conducteurs traditionnels et contribue
améliorer l'efficacité du dispositif..
Dans le domaine de l'électronique de puissance, il peut être
utilisé pour fabriquer des appareils d'alimentation haut rendement,
tels que les MOSFET et les IGBT.il a d'excellentes performances
dans les applications haute fréquence et est largement utilisé dans
les équipements de communicationDans le domaine de la technologie
LED, il peut être utilisé comme matériau de base pour les appareils
LED bleus et ultraviolets.
Caractéristiques:
·L'écart de bande large: l'écart de bande est d'environ 3,0 eV, ce
qui le rend approprié pour les applications haute température,
haute tension et haute fréquence.
·Excellente conductivité thermique: avec une bonne conductivité
thermique, aide la dissipation de chaleur, améliore les
performances et la fiabilité de l'appareil.
·Haute résistance et dureté: haute résistance mécanique,
anti-fragmentation et anti-usure, adaptée une utilisation dans des
environnements difficiles.
·Mobilité des électrons: le dopage de type P maintient encore une
mobilité relativement élevée des porteurs, ce qui favorise des
dispositifs électroniques efficaces.
·Propriétés optiques: avec des propriétés optiques uniques, adaptées
au domaine de l'optoélectronique, telles que les LED et les lasers.
·Stabilité chimique: bonne résistance la corrosion chimique, adaptée
aux environnements de travail difficiles.
·Forte adaptabilité: peut être combinée avec une variété de
matériaux de substrat, adaptée une variété de scénarios
d'application.
Paramètres techniques:
Applications:
·L'électronique de puissance: Utilisée pour fabriquer des appareils
électriques haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT, qui
sont largement utilisés dans les convertisseurs de fréquence, la
gestion de l'énergie et les véhicules électriques.
·Équipement RF et micro-ondes: utilisé dans les amplificateurs haute fréquence, les amplificateurs de puissance RF, adaptés aux systèmes de communication et de radar.
·Équipement RF et micro-ondes: utilisé dans les amplificateurs haute fréquence, les amplificateurs de puissance RF, adaptés aux systèmes de communication et de radar.
·Optoélectronique: Utilisé comme substrat dans les LED et les
lasers, en particulier dans les applications bleues et
ultraviolettes.
·Capteurs haute température: en raison de leur bonne stabilité
thermique, ils conviennent aux capteurs haute température et aux
équipements de surveillance.
·Énergie solaire et systèmes énergétiques: utilisés dans les
onduleurs solaires et autres applications d'énergie renouvelable
pour améliorer l'efficacité de la conversion d'énergie.
·Electronique automobile: optimisation des performances et économie
d'énergie dans le système d'alimentation des véhicules électriques
et hybrides.
·Équipement électrique industriel: modules de puissance pour une
large gamme d'équipements et de machines d'automatisation
industrielle pour améliorer l'efficacité énergétique et la
fiabilité.
Personnalisation:
Notre substrat SiC est disponible dans le type 6H-P et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces/mois. La taille du substrat SiC est de diamètre 50,8 mm d'épaisseur 350 μm. Le lieu d'origine est la Chine.
Nos services:
1- Fabrication directe et vente.
2Des citations rapides et précises.
3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.
4. ODM: la conception sur mesure est disponible.
5Rapide et précieux.
FAQ:
Q: Y a-t-il un produit en stock ou standard?
R: Oui, la taille de départ est de 2 pouces 0.35mm taille standard
toujours en stock.
Q: Si je passe une commande maintenant, combien de temps avant que
je reçoive la livraison?
A: taille standard en stock dans 1 semaine peut être exprimée après
paiement.
et notre délai de paiement est de 50% de dépôt et de départ avant
la livraison.
2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm
Inquiry Cart
0