Sic 3C-N Type Taille Machinery conducteur type pour les systèmes radar MPD de qualité de production zéro
Numéro de modèle:3C-N SiC
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:10 pour cent
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:1000pc/month
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Description du produit:
Sic 3C-N Type Taille Machinery conducteur type pour les systèmes radar MPD de qualité de production zéro
Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau
semi-conducteur large bande avec de bonnes propriétés électriques
et thermiques, particulièrement adapté auxApplications pour
appareils électroniques haute puissanceLe dopage de type N est
généralement réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'azote
(N) et le phosphore (P), ce qui rend le matériau électronégatif et
adapté une variété de conceptions de dispositifs électroniques.La
bande passante est d'environ 3Le dopage de type N maintient
toujours une grande mobilité électronique, ce qui améliore les
performances du dispositif.Une excellente conductivité thermique
permet d'améliorer la capacité de dissipation de la chaleur des
appareils électriques.Il a une bonne résistance mécanique et est
adapté une utilisation dans des environnements difficiles. Il a une
bonne résistance une large gamme de produits chimiques et est
adapté pour des applications industrielles.il est utilisé dans les
convertisseurs de puissance et les entraînements haut rendement,
adapté aux véhicules électriques et aux systèmes d'énergie
renouvelable.
Caractéristiques:
- Large bande passante: bande passante d'environ 3,0 eV pour les applications haute température et haute tension.
- Haute mobilité des électrons: le dopage de type N assure une bonne mobilité des électrons et améliore les performances globales du dispositif.
- Excellente conductivité thermique: il a une excellente conductivité thermique et améliore efficacement les performances de dissipation thermique, adapté aux applications haute puissance.
- Bonne résistance mécanique: Il a une grande ténacité et résistance la compression, et convient une utilisation dans des environnements difficiles.
- Résistance aux produits chimiques: bonne résistance un large éventail de produits chimiques, ce qui améliore la stabilité du matériau.
- Caractéristiques électriques réglables: en ajustant la concentration de dopage, différentes propriétés électriques peuvent être obtenues pour répondre aux besoins de diverses applications.
Paramètre technique
Propriété | Je ne...type3C-SiC, Cristaux simples |
| Paramètres de la grille | a=4,349 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 |
| Densité | 20,36 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 3.8×10-6/K |
| Indice de réfraction @750 nm | n = 2.615 |
| Constante diélectrique | c~9.66 |
Conductivité thermique | 3 5 W/cm·K@298K |
| Le band-gap | 2.36 eV |
| Champ électrique de rupture | 2 5 × 106 V/cm |
Vitesse de dérive de saturation | 2.7 × 107 m/s |
※ Carbure de silicium le matériel propriétés est uniquement titre de référence.
Applications réaliser:
1- électronique de puissance: pour les convertisseurs de puissance,
les onduleurs et les entraînements haut rendement, largement
utilisés dans les véhicules électriques et les systèmes d'énergie
renouvelable.
2- équipement RF et micro-ondes: amplificateurs RF, équipement
micro-ondes, particulièrement adaptés aux systèmes de communication
et de radar.
3. Optoélectronique: Il peut être utilisé comme bloc de
construction pour les LED et les détecteurs de lumière, en
particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.
4Sensors: Appliqués un large éventail de capteurs dans des
environnements haute température et haute puissance, offrant des
performances fiables.
5Chargement sans fil et gestion de la batterie: utilisé dans les
systèmes de charge sans fil et les dispositifs de gestion de la
batterie pour améliorer l'efficacité et les performances.
6Équipement électrique industriel: utilisé dans les systèmes
d'automatisation et de contrôle industriels pour améliorer
l'efficacité énergétique et la stabilité du système.
Personnalisation:
Notre substrat SiC est disponible dans le type 3C-N et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 6 pouces.
Nos services:
1- Fabrication directe et vente.
2Des citations rapides et précises.
3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.
4. ODM: la conception sur mesure est disponible.
5Rapide et précieux.
FAQ:
Q: Est-ce que votre entreprise est une usine ou une entreprise
commerciale?
R: Nous sommes l'usine et nous pouvons également exporter
nous-mêmes.
Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications
et la forme, la taille selon vos besoins.
Q: Quels sont vos principaux produits?
R: Il y a des plaquettes en saphir, en silicone, en quartz. Nous
pouvons aussi produire des plaquettes en forme spéciale.
produits selon votre dessin.
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