2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté P Grade R Grade D Grade
Numéro de modèle:SiC de graines cristallines
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:10 pour cent
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:1000pc/month
Délai de livraison:dans 30days
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Description du produit:
2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté Grade P Grade R Grade D
Le carbure de silicium (SiC), communément appelé carbure de silicium, est un composé formé en combinant le silicium et le carbone.qui est largement utilisé dans les matériaux semi-conducteursLe carbure de silicium n'est qu'un diamant en dureté, ce qui en fait un excellent outil d'abrasion et de coupe.Une bonne conductivité thermique le rend adapté aux applications haute température telles que les LED et l'électronique de puissance. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis.En raison de ses propriétés supérieures, les cristaux de graines de carbure de silicium sont devenus un matériau indispensable dans l'industrie et la technologie modernes.
Caractéristiques:
- Dureté élevée:Le carbure de silicium est le deuxième plus dur après le diamant, ce qui en fait un excellent abrasif et outil de coupe.
- Conductivité thermique élevée:La bonne conductivité thermique le rend adapté aux applications haute température telles que les LED et l'électronique de puissance.
- Résistance la corrosion:Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis.
- Stabilité haute température:Il peut encore maintenir de bonnes propriétés physiques et chimiques dans un environnement haute température.
- Faible coefficient de dilatation thermique:Il est donc moins susceptible de se déformer en cas de changement de température, ce qui le rend adapté des applications de précision.
Paramètre technique
Applications:
1Électronique: largement utilisée dans la fabrication de
dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence,
tels que les MOSFET et les diodes. 2. Abrasifs et outils de coupe: utilisés pour fabriquer du papier
de verre, des pierres de meulage et des outils de coupe. 3Matériaux céramiques: utilisés pour produire des pièces céramiques
résistantes l'usure et haute température. 4Appareils optoélectroniques: Excellente performance dans les
applications optoélectroniques telles que les LED et les lasers. 5Matériaux de gestion thermique: utilisés dans les dissipateurs de
chaleur et les matériaux d'interface thermique pour améliorer les
performances de dissipation thermique des appareils électroniques.
Personnalisation:
Notre substrat de graines de cristal SiC est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 2/4/6/8 pouces.
FAQ:
1.Q: Comment préparer le cristal de graines de carbure de silicium de type 4H?
R: La préparation de cristaux de graines de carbure de silicium de type 4H implique généralement un processus complexe, y compris la sélection de matières premières appropriées, une purification fine, le contrôle des conditions de croissance,et ainsi de suiteLes méthodes de préparation courantes comprennent la méthode de transfert de vapeur physique (PVT).la qualité cristalline et l'orientation cristalline du cristal de semence répondent des exigences spécifiques.
2Q: Quelle est la différence entre les graines de carbure de silicium de type 4H et 6H?
R: Il existe des différences de structure cristalline entre les cristaux de graines SIC de type 4H et 6H, ce qui entraîne des différences dans leurs propriétés physiques et chimiques.Les cristaux de graines de type 4H SIC ont généralement une mobilité électronique plus élevée et une largeur de bande plus largeLa semence de SIC de type 6H peut présenter des avantages uniques dans certaines applications spécifiques, telles que le champ optique.
Tag: #Sic Crystal Seed Substrate, #H-N type, plaquette au carbure de silicium.
2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté P Grade R Grade D Grade
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