Une gaufre en SiC de 8 pouces, une gaufre en carbure de silicium.

Wafer SiC de 8 pouces Wafer au carbure de silicium de qualité de recherche 500um 350um

Introduction du produit

Notre société est spécialisée dans la fourniture de gaufres en carbure de silicium (SiC) de 8 pouces en cristal unique de haute qualité pour l'industrie électronique et optoélectronique.Le SiC est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération connu pour ses propriétés électriques et thermiques uniques.Comparé aux plaquettes de silicium et de GaAs, le SiC est particulièrement adapté aux appareils haute température et haute puissance.

Nos plaquettes SiC de 8 pouces sont de différents types et de différentes qualités pour répondre aux différentes exigences d'application.chacune avec sa propre structure cristalline spécifique et sa séquence d'empilement d'atomesCes plaquettes sont disponibles dans différents types de conductivité, y compris les variantes de type N, dopées d'azote et semi-isolantes.

En plus du type et de la qualité, nous comprenons l'importance des spécifications supplémentaires pour assurer une performance et une qualité optimales.la densité de défaut et la densité de défaut sont des facteurs cruciaux pour déterminer l'adéquation des plaquettes SiC des applications spécifiquesNous fournissons des informations complètes sur les produits et nous pouvons fournir des détails supplémentaires sur demande.

Le carbure de silicium (SiC) a d'abord trouvé une utilisation industrielle comme matériau abrasif et a ensuite gagné en importance dans la technologie LED.ses propriétés physiques exceptionnelles ont conduit son adoption généralisée dans diverses applications de semi-conducteurs dans toutes les industriesAvec l'approche des limites de la loi de Moore, de nombreuses entreprises de semi-conducteurs se tournent vers le SiC comme matériau de l'avenir en raison de ses caractéristiques de performance exceptionnelles.

Dans l'industrie des semi-conducteurs, le 4H-SiC est plus couramment utilisé que le 6H-SiC.indiquant la séquence d'empilement spécifique des atomes dans le cristal.

N'hésitez pas nous contacter pour plus d'informations sur notre gamme de plaquettes SiC de 8 pouces et comment elles peuvent répondre vos besoins spécifiques dans le paysage en évolution rapide des semi-conducteurs.

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Technologie de production

Le processus de fabrication des plaquettes en carbure de silicium (SiC) de 8 pouces implique plusieurs étapes essentielles pour assurer leur qualité et leur adéquation pour les applications de semi-conducteurs.

Batch Lapping: Une fois qu'une boule de cristal SiC est transformée en plaquettes individuelles, elles sont chargées dans un système de batch lapping.Ce système réduit l'épaisseur des plaquettes et assure que les surfaces supérieure et inférieure sont parallèlesChaque tranche est ensuite déchargée manuellement, mesurée et triée en fonction de son épaisseur.
Préparation de surface: la préparation de surface est cruciale pour fabriquer des plaquettes SiC de haute qualité.la densité des dislocations et des rayures doit être maintenue en dessous d'un certain niveau pour répondre aux normes de qualitéSi la surface est trop rugueuse, une scie fil est utilisée pour l'aiguiser, bien que ce processus soit laborieux et coûteux.
Processus de récupération des plaquettes: X-Trinsic propose un processus de récupération des plaquettes, dans lequel la couche de surface endommagée d'une plaquette est retirée et repolée pour la restaurer un état prêt pour l'appareil.Ce procédé permet d'économiser des coûts pour les entreprises et d'augmenter le rendement d'une gaufre donnée jusqu' 50%.
Traitement par lots: La production actuelle de plaquettes SiC est généralement effectuée l'aide d'outils de traitement par lots, qui ont un débit inférieur et sont limités de plus petites plaquettes. mesure que l'industrie évolue vers de plus grandes tailles de plaquettes, les outils de traitement par lots peuvent devoir s'adapter pour accueillir efficacement des plaquettes de plus grande taille.
Inspection et élimination des défauts: au cours du processus de fabrication, les cristaux de SiC sont vérifiés pour détecter les dislocations et les défauts.et tous les défauts sont éliminés afin d'assurer la performance globale et la qualité des plaquettes semi-conducteurs.
Pureté et traitement du film épitaxial: après la fabrication du substrat de silicium, il est traité pour assurer la plus haute pureté possible.Un traitement approprié est essentiel pour éviter de créer des défauts dans le film épitaxial., ce qui donne lieu des plaquettes de meilleure qualité et plus efficaces qui peuvent être adaptées des besoins spécifiques.

Dans l'ensemble, le processus de fabrication des plaquettes SiC de 8 pouces implique une série d'étapes précises pour produire des matériaux semi-conducteurs de haute qualité adaptés une gamme d'applications.

FAQ:

Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?

R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.

(2) c'est très bien si vous avez votre propre compte express, sinon, nous pourrions vous aider les expédier et

Le fret est conforme au règlement effectif.

Q: Comment payer?

R: T/T 100% de dépôt avant livraison.

Q: Quel est votre MOQ?

R: (1) Pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs. si 2-5pcs c'est mieux.

(2) Pour les produits commen personnalisés, le MOQ est de 10 pièces.

Q: Quel est le délai de livraison?

A: (1) Pour les produits standard

Pour l'inventaire: la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.

Pour les produits personnalisés: la livraison est de 2 4 semaines après votre commande.

Q: Avez-vous des produits standard?

R: Nos produits standard sont en stock. comme les substrats de 4 pouces 0,35 mm.