6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard
Numéro de modèle:4H-P SiC
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:10 pour cent
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:1000pc/month
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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard
Le carbure de silicium 4H-P (SiC) est un important matériau semi-conducteur couramment utilisé dans les appareils électroniques haute température, haute fréquence et haute puissance.4H-SiC est un type de sa structure cristalline qui a une structure en treillis hexagonale. L'écart de bande large (environ 3,26 eV) lui permet de fonctionner dans des environnements haute température et haute tension.peut guider et dissiper efficacement la chaleurUne conductivité thermique élevée (environ 4,9 W/m·K), supérieure au silicium, peut guider et dissiper efficacement la chaleur.Le carbure de silicium dopé de type P a une faible résistivité et convient la construction de jonctions PNAvec le développement des véhicules électriques et des technologies d'énergie renouvelable, la demande de carbure de silicium de type 4H-P devrait continuer croître.stimuler la recherche et les progrès technologiques connexes.
Caractéristiques:
· Type: le cristal 4H-SiC a une structure en treillis hexagonal et possède d'excellentes caractéristiques électriques.
· Large bande passante: environ 3,26 eV pour les applications haute température et haute fréquence.
· Dopage de type P: la conductivité de type P est obtenue par des éléments de dopage tels que l'aluminium, augmentant la concentration des pores conducteurs.
· Résistivité: faible résistivité, adaptée aux appareils haute puissance.
· Haute conductivité thermique: environ 4,9 W/m·K, dissipation thermique efficace, adaptée aux applications forte densité de puissance.
· Résistance haute température: il peut fonctionner de manière stable dans un environnement haute température.
· Haute dureté: résistance mécanique et ténacité très élevées pour des conditions difficiles.
· Voltage de rupture élevé: Capable de résister des tensions plus élevées et de réduire la taille du dispositif.
· Faible perte de commutation: bonnes caractéristiques de
commutation en fonctionnement haute fréquence pour améliorer
l'efficacité.
· Résistance la corrosion: bonne résistance une large gamme de
produits chimiques.
• Large gamme d'applications: adapté aux véhicules électriques, aux onduleurs, aux amplificateurs de haute puissance et d'autres domaines.
Paramètres techniques:
Applications:
1. électronique de puissance
Convertisseurs de puissance: pour les adaptateurs de puissance et
les onduleurs efficaces pour une plus petite taille et une plus
grande efficacité énergétique.
Véhicules électriques: optimiser l'efficacité de conversion de
puissance dans les modules d'entraînement et les bornes de recharge
des véhicules électriques.
2. Les appareils RF
Amplificateurs micro-ondes: utilisés dans les systèmes de
communication et de radar pour fournir des performances fiables
haute fréquence.
Communications par satellite: amplificateur haute puissance pour
satellites de communication.
3Applications haute température
Capteur: Capteur utilisé dans des environnements température
extrême, capable d'un fonctionnement stable.
Équipement industriel: équipement et instruments adaptés des
conditions de température élevée.
4Optoélectronique
Technologie LED: Utilisée pour améliorer l'efficacité lumineuse
dans des LED spécifiques courte longueur d'onde.
Les lasers: des applications laser efficaces.
5Système électrique
Réseau intelligent: amélioration de l'efficacité énergétique et de
la stabilité dans le domaine de la transmission et de la gestion du
réseau en courant continu haute tension (HVDC).
6Électronique de consommation
Dispositif de recharge rapide: Un chargeur portable pour appareils
électroniques qui améliore l'efficacité de la recharge.
7. énergie renouvelable
Invertisseur solaire: améliorer l'efficacité de conversion de
l'énergie dans les systèmes photovoltaïques.
Personnalisation:
Notre substrat SiC est disponible dans le type 4H-P et est certifié
RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est
par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique
personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous
acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité
d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du
substrat SiC est de 6 pouces.
Nos services:
1- Fabrication directe et vente.
2Des citations rapides et précises.
3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.
4. ODM: la conception sur mesure est disponible.
5Rapide et précieux.
FAQ:
Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?
R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon,
nous pourrions vous aider les expédier.
Le fret est conforme au règlement effectif.
Q: Comment payer?
A:50% de dépôt, 50% avant la livraison T/T, Paypal.
Q: Quel est votre MOQ?
R: (1) Pour l'inventaire, le MOQ est de 10 pièces.
(2) Pour les produits personnalisés, le MOQ est de 25 pièces.
6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard
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