Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
Numéro de modèle:Cristaux de SiC
Lieu d'origine:La Chine
Quantité minimale de commande:10 pour cent
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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
Le substrat de carbure de silicium de 12 pouces est une innovation importante dans l'industrie des semi-conducteurs, avec des dimensions allant jusqu' 300 mm, beaucoup plus grandes que les substrates traditionnels de 6 ou 8 pouces.Cette augmentation de la taille signifie que plus de copeaux peuvent être fabriqués sur une seule galette, augmentant considérablement l'efficacité de la production et réduisant les coûts unitaires.
Le substrat de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces est un substrat important pour les matériaux semi-conducteurs large bande et possède des propriétés physiques et chimiques significatives.haute conductivité thermique et forte résistance au champ électrique de rupture, il fonctionne bien dans des environnements haute température, haute pression et haute fréquence.le substrat en carbure de silicium de 12 pouces améliore l'efficacité de fabrication des puces et réduit les coûts unitaires en élargissant la surface d'une seule gaufre, permettant des applications grande échelle.
Caractéristiques:
Caractéristiques physiques:
- Caractéristiques de la largeur de bande:Le carbure de silicium a une large bande passante, environ 3,26 eV (4H-SiC) ou 3,02 eV (6H-SiC), beaucoup plus élevée que celle du silicium, qui est de 1,1 eV.Cela permet au carbure de silicium de fonctionner une intensité de champ électrique extrêmement élevée et de résister une grande chaleur, et n'est pas sujette l'effondrement thermique ou la décomposition.
- Champ électrique décomposition élevée:Le champ électrique de décomposition du carbure de silicium est environ 10 fois supérieur celui du silicium, de sorte qu'il peut fonctionner de manière stable haute tension,d'une puissance de sortie supérieure ou égale 300 W.
- Résistance haute température:Le carbure de silicium a une conductivité thermique élevée et une résistance haute température, et la plage de température de fonctionnement peut atteindre 600 °C ou plus,ce qui le rend idéal pour les appareils fonctionnant dans des environnements extrêmes.
- Performance haute fréquence:Bien que la mobilité électronique du carbure de silicium soit inférieure celle du silicium, elle est toujours suffisante pour supporter des applications haute fréquence, adaptées aux communications sans fil, radar,et amplificateurs de puissance haute fréquence.
- Résistance aux rayonnements:le carbure de silicium a une forte résistance aux rayonnements et peut résister aux interférences de rayonnements externes sans diminution significative des propriétés du matériau,qui présente des avantages dans les appareils aérospatiaux et les applications en électronique nucléaire.
Je suis désolée.
Caractéristiques de fabrication:
- Technologie de croissance des cristaux:Les dépôts chimiques de vapeur (CVD) et les dépôts physiques de vapeur (PVD) sont combinés pour assurer un film uniforme.
- Contrôle de la qualité de surface:Optimiser la qualité de la surface par polissage chimique mécanique et gravure chimique au laser.
- Contrôle des défauts:Faible densité de défaut et conception de défaut de couche zéro, améliorer les performances de l'appareil.
Économie:
- L'avantage de la taille:La surface de la gaufre de 12 pouces est environ 118% supérieure celle de la gaufre de 8 pouces, et le coût unitaire est réduit.
- Augmentez la sortie:réduire le nombre de copeaux, améliorer le rendement.
Paramètre technique
| Matériau: | Monocristal de SiC |
| Taille: | 12 pouces |
| Le diamètre: | 300 mm |
| Le type: | 4H-N |
| Finition de surface: | DSP, CMP/MP |
| Orientation de la surface: | 4° vers < 11-20> ± 0,5° |
| Emballage: | Emballage aseptique indépendant unique, niveau de propreté 100 |
| Applications: | Appareils électriques, nouvelles énergies, communication 5G |
Applications:
1.appareils électroniques de puissance et appareils semi-conducteurs
de puissance:
Les substrats de carbure de silicium de 12 pouces sont largement
utilisés dans les dispositifs de semi-conducteurs de puissance tels
que les MOSFET, les IGBT et les diodes Schottky.alimentation
électrique industrielleDans les véhicules électriques,le substrat
en carbure de silicium de 12 pouces peut améliorer l'efficacité
énergétique du système d'entraînement électrique et améliorer la
vitesse de charge et l'endurance de la batterie.
2.Véhicules énergie nouvelle et électriques:
Parce que les matériaux en carbure de silicium peuvent gérer efficacement les signaux haute tension et haute fréquence,Il a également une application indispensable dans les équipements de recharge grande vitesse des bornes de recharge des véhicules électriques..
3.Communication 5G et électronique haute fréquence:
Le substrat de carbure de silicium de 12 pouces est largement utilisé dans les stations de base 5G et les appareils RF haute fréquence en raison de ses excellentes performances haute fréquence,qui peut améliorer considérablement l'efficacité de la transmission du signal, réduire les pertes de signal et soutenir la transmission de données grande vitesse des réseaux 5G.
4.Champ énergétique:
Dans le domaine des énergies renouvelables telles que les onduleurs photovoltaïques et la production d'énergie éolienne,Le substrat au carbure de silicium peut réduire la consommation d'énergie et améliorer la stabilité et la fiabilité du réseau électrique.équipements en améliorant l'efficacité de la conversion d'énergie.
5.Automatisation industrielle et réseaux électriques haute tension:
Soutenir le fonctionnement efficace des équipements d'automatisation industrielle et des réseaux électriques haute tension.
6.Aérospatiale et environnement extrême:
Utilisé pour les capteurs de haute température et de pression afin de s'adapter des environnements extrêmes.
Personnalisation:
ZMSH offre une gamme complète de services de substrat de carbure de silicium de 12 pouces, y compris l'usinage sur mesure de précision pour répondre aux besoins individuels, la logistique professionnelle pour assurer la livraison sûre des produits,et l'emballage de précision pour assurer la livraison de haute qualité des substrats de carbure de silicium de 12 pouces.
FAQ:
1Q: Comment personnaliser un substrat de carbure de silicium de 12
pouces?
R: Les clients peuvent nous faire des demandes personnalisées en
fonction de leurs besoins spécifiques, tels que la concentration de
dopage, l'orientation cristalline, etc.ZMSH réalisera une
conception et une production professionnelles conformément aux
exigences afin de garantir que les produits répondent aux besoins
individuels des clients..
2Q: Quel est le processus d'emballage et d'expédition du substrat
de carbure de silicium de 12 pouces?
R: ZMSH effectue une inspection de qualité rigoureuse du substrat
de carbure de silicium de 12 pouces avant expédition.Le ZMSH sera
emballé avec des matériaux d'emballage professionnels résistants
aux chocs et l'humidité, puis expédié selon le délai de livraison
et l'adresse requis par le client.
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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
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