Caméra VIS-NIR CCD Contour-IR Contour-M Caméra numérique 400-1700 nm Caméra multispectral

La différence entre CMOS et CCD:

1. Fabrication du procédé d'imagerie

Le principe de conversion photoélectrique du capteur d'image CCD et du capteur d'image CMOS est le même, la principale différence entre eux est que le processus de lecture du signal est différent;Parce que le CCD n'a qu'un (ou quelques) nud de sortie lire uniformément, sa cohérence de sortie de signal est très bonne; dans la puce CMOS, chaque pixel a son propre amplificateur de signal, qui effectue respectivement la conversion charge-tension,et la cohérence de sa sortie de signal est mauvaiseCependant, pour lire l'ensemble du signal d'image, la bande passante du signal de l'amplificateur de sortie doit être large, et dans la puce CMOS,les exigences de bande passante de l'amplificateur dans chaque pixel sont faibles, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie de la puce, ce qui explique principalement pourquoi la consommation d'énergie de la puce CMOS est inférieure celle de la CCD.l'incohérence de millions d'amplificateurs conduit un bruit fixe plus élevé, qui est l'inconvénient inhérent du CMOS par rapport au CCD.

2. l'intégration

Du point de vue du processus de fabrication, le circuit et le dispositif en CCD sont intégrés sur le matériau monocristallin semi-conducteur, le processus est plus complexe,et seulement quelques fabricants dans le monde peuvent produire des plaquettes CCD, tels que DALSA, SONY, Panasnic, etc. Le CCD ne peut produire que des signaux électriques analogiques, nécessite un décodeur d'adresse, un convertisseur analogique, un processeur de signal d'image,et a également besoin de fournir trois groupes de différentes tensions de puissance synchrone circuit de commande d'horloge, l'intégration est très faible. CMOS est intégré dans un matériau semi-conducteur appelé oxyde de métal,qui est le même processus qui produit des dizaines de milliers de circuits intégrés semi-conducteurs tels que les puces d'ordinateur et les périphériques de mémoire, donc le coût de production de CMOS est beaucoup plus faible que celui du CCD. En même temps, la puce CMOS peut intégrer l'amplificateur de signal d'image, circuit de lecture de signal, circuit de conversion A/D,un processeur de signal d'image et un contrôleur dans une puce, une seule puce peut réaliser toutes les fonctions de base de l'appareil photo, l'intégration est très élevée, le concept d'appareil photo au niveau de la puce est généré partir de cela.Avec le développement continu de la technologie CMOS, de plus en plus d'entreprises peuvent fournir des puces d'imagerie CMOS de haute qualité, notamment: Micron, CMOSIS, Cypress, etc.

3La vitesse.

Le CCD adopte une sortie photosensible une par une, qui ne peut être sortie que selon la procédure spécifiée, et la vitesse est lente.CMOS dispose de plusieurs convertisseurs de charge-tension et de commande d'interrupteur de rangée et de colonne, et la vitesse de lecture est beaucoup plus rapide, et la plupart des caméras haute vitesse au-dessus de 500fps sont des caméras CMOS.et une vitesse plus élevée peut être obtenue lorsque seules les images de sous-fenêtre sont produites.

4Le bruit.

La technologie CCD a été développée plus tôt, plus mature, en utilisant une jonction PN ou une couche d'isolation au dioxyde de silicium (SiO2) pour isoler le bruit.la qualité d'imagerie par rapport au capteur photoélectrique CMOS présente un certain avantageEn raison du degré élevé d'intégration du capteur d'image CMOS, la distance entre les composants et les circuits est très étroite, l'interférence est relativement grave,et le bruit a un grand impact sur la qualité de l'imageAvec le développement continu de la technologie de réduction du bruit des circuits CMOS, elle fournit de bonnes conditions pour la production de capteurs d'image CMOS de haute densité et de haute qualité.

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