Sic résistance de croissance fourneau à cristaux chauffage à haute température lingot 6 pouces 8 pouces 12 pouces
Objectifs::pour un four de croissance à cristal unique SiC de 6 8 12 pouces
Plage de température::900 ∼ 3000°C
Diamètre de l'arbre de rotation::50 mm
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Shanghai Shanghai China
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Résumé de la résistance la ZMSH Sic du four longs cristaux
Sic résistance de croissance fourneau cristaux chauffage haute température lingot 6 pouces 8 pouces 12 pouces
Le four cristaux de résistance au carbure de silicium est un type d'équipement spécialement utilisé pour la culture de cristaux de carbure de silicium (SiC).le carbure de silicium possède d'excellentes propriétés telles qu'une conductivité thermique élevéeIl est largement utilisé dans l'électronique de puissance, les dispositifs de radiofréquence et les semi-conducteurs haute température.Le four longs cristaux résistifs fournit un environnement haute température grce au chauffage résistif, qui est l'équipement clé pour réaliser la croissance du cristal de carbure de silicium.
Caractéristiques du four longs cristaux résistance SIC
· Capacité haute température: il peut fournir un environnement haute température supérieur 2000°C pour répondre aux besoins de croissance des cristaux de carbure de silicium.
· Contrôle de la température de haute précision: la précision du contrôle de la température peut atteindre ± 1°C pour assurer la qualité de la croissance des cristaux.
· Haute stabilité: la méthode de chauffage par résistance est stable et fiable, adaptée au travail continu long terme.
· Faible pollution: des matériaux de haute pureté et une atmosphère inerte sont utilisés pour réduire l'influence des impuretés sur la qualité des cristaux.
Spécifications techniques
| Spécification | Détails |
|---|---|
| Les dimensions (L × P × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm ou personnaliser |
| Diamètre du creuset | 900 mm |
| Pression au vide ultime | 6 × 10−4 Pa (après 1,5 h de vide) |
| Taux de fuite | ≤ 5 Pa/12h (pte pte) |
| Diamètre de l'arbre de rotation | 50 mm |
| Vitesse de rotation | 0.5 ∙5 tours par minute |
| Méthode de chauffage | Chauffage par résistance électrique |
| Température maximale du four | 2500°C |
| Puissance de chauffage | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Mesure de la température | Pyromètre infrarouge double couleur |
| Plage de température | 900 ∼ 3000°C |
| Précision de la température | ± 1°C |
| Plage de pression | 1 ‰ 700 mbar |
| Précision du contrôle de la pression | 1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S; 10 100 mbar: ± 0,5% F.S. Pour les véhicules moteur commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure : |
| Type d'opération | Chargement vers le bas, options de sécurité manuelle/automatique |
| Caractéristiques facultatives | Mesure double température, zones de chauffage multiples |
Résultats du four de croissance de résistance sic
Résultat de croissance
En utilisant le transfert physique avancé de vapeur (PVT), le four
de croissance résistance au SiC peut contrôler avec précision les
conditions de croissance des cristaux haute température pour
assurer la croissance de haute qualité, faible teneur en carbure de
siliciumL'équipement présente les caractéristiques d'un contrôle de
température de haute précision (± 1°C), d'une efficacité élevée et
d'une économie d'énergie, stable et fiable, adapté au
fonctionnement continu long terme. The equipment provided by ZMSH
is also equipped with an intelligent monitoring system that adjusts
growth parameters in real time to further improve crystal
consistency and yield to meet the semiconductor industry's
demanding requirements for high-performance crystals.
Semi-conducteurs standard de production
ZMSH possède de nombreuses années d'accumulation technologique dans
le domaine des fours de croissance résistance au SiC, fournissant
des services guichet unique allant de la conception et de la
fabrication des équipements l'assistance après-vente.Nos appareils
ne répondent pas seulement aux normes de l'industrie des
semi-conducteurs, mais sont également optimisés pour des
applications telles que l'électronique de puissance, les appareils
RF et les nouvelles énergies afin d'assurer des performances
cristallines supérieures dans des scénarios haute température,
haute fréquence et haute puissance.
Le service ZMSH
ZMSH se concentre sur la fourniture de fours de croissance de
résistance au SiC de haute performance et de services de soutien, y
compris la personnalisation des équipements, l'optimisation des
processus et le soutien technique.Avec de nombreuses années
d'expérience dans l'industrie, nous assurons le contrôle de la
température de haute précision, la stabilité et l'efficacité
énergétique de l'équipement pour répondre la demande de l'industrie
des semi-conducteurs pour des cristaux de carbure de silicium de
haute qualité.La force de ZMSH réside dans la livraison rapide.,
des solutions personnalisées et un service après-vente 24 heures
sur 24, 7 jours sur 7, offrant aux clients un soutien complet de
l'installation de l'équipement l'optimisation du processus de
croissance des cristaux,aider les clients devenir des leaders en
électronique de puissance, les appareils RF et autres champs.
Questions et réponses
1Q: quoi sert un four résistance au SiC?
R: Un four résistant au SiC est utilisé pour la culture de cristaux
de carbure de silicium (SiC) de haute qualité par la méthode du
transport physique de vapeur (PVT).essentiels pour l'électronique
de puissance et les applications de semi-conducteurs.
2Q: Pourquoi choisir un four résistance au SiC pour la croissance
des cristaux?
R: Un four résistant au SiC offre un contrôle précis de la
température, une grande stabilité et une efficacité énergétique, ce
qui le rend idéal pour produire des produits peu défectueux,des
cristaux de SiC de haute pureté requis pour les dispositifs
semi-conducteurs avancés.
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Sic résistance de croissance fourneau à cristaux chauffage à haute température lingot 6 pouces 8 pouces 12 pouces
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