Effectant d'extrémité en céramique SiC personnalisé pour la manipulation de gaufres

Effectant d'extrémité en céramique SiC pour la manipulation des plaquettes

L'effetur d'extrémité en céramique au carbure de silicium (SiC) est un outil de manipulation de plaquettes haute performance conçu pour la fabrication de semi-conducteurs, la production photovoltaïque et l'assemblage d'électronique avancée.Utilisation des propriétés exceptionnelles du SiC, y compris sa rigidité élevée, faible expansion thermique et résistance chimique supérieure, cet effecteur final assure un transfert de gaufre ultra-propre, stable et précis dans des environnements sous vide, haute température et corrosifs.

Comparés aux matériaux traditionnels (par exemple, l'aluminium ou le quartz), les effecteurs finaux en céramique SiC offrent:
- Zéro contamination par particules (critique pour la lithographie EUV).
- Haute rigidité (module de Young > 400 GPa), réduisant au minimum le désalignement des plaquettes induit par les vibrations.
- Résistance la corrosion des acides, des plasmas et des gaz réactifs (par exemple, dans les chambres CVD/PVD).
- Stabilité thermique (plage de fonctionnement: -200°C 1 600°C), idéale pour les procédés extrêmes.

Caractéristiques de l'effetur de fin en céramique SiC pour la manipulation de gaufres

1Dureté et résistance l'usure extrêmement élevées
- une dureté Vickers de 2800 HV, proche du diamant (3000 HV) et nettement supérieure au quartz (820 HV) et l'alumine (1500 HV),permettant une utilisation long terme sans générer de débris d'usure pouvant rayer les surfaces des plaquettes.
- La structure grains fins (4-10 μm) assure une surface lisse (Ra < 0,2 μm), répondant aux exigences de procédé ultra-propre pour la lithographie EUV.

2Une résistance mécanique exceptionnelle
- une résistance la flexion de 450 MPa et une résistance la compression de 3900 MPa lui permettent de supporter des plaquettes de 300 mm (dont le poids est d'environ 128 g) sans déformation de la flexion, ce qui empêche le décalage ou la rupture des plaquettes.
 

3Une excellente stabilité thermique
- Résiste des températures allant jusqu' 1600°C dans les atmosphères oxydantes et 1950°C dans les gaz inertes, dépassant largement les limites des effets de fin métalliques (généralement < 500°C).

4. Inerté chimique
- Résistant tous les acides ( l'exception des mélanges HF/HNO3) et des alcalis, il est donc idéal pour les stations de nettoyage l'humidité et les environnements de processus corrosifs tels que les chambres CVD (SiH4, NH3).
 

5. Des performances exemptes de contamination

- Génération de particules < 0,1/cm2 (par normes SEMI F57), 100 fois inférieure celle des effetors de fin en aluminium.

- une densité de 3,14 g/cm3 (contre 2,7 g/cm3 pour l'aluminium), permettant une manipulation robotique grande vitesse sans compromettre la rigidité.

6. Capacités de personnalisation
- Géométrie: conceptions plates, alignées sur les encoches ou qui tiennent les bords pour les plaquettes de 150 mm 450 mm.
- Les revêtements: couches antirefletrices ou hydrophobes en option pour des applications spécialisées.

Les spécifications

Applications de l'effetur de fin en céramique SiC

1. Fabrication de semi-conducteurs
✔ Lithographie du VUE
La surface lisse du SiC (Ra < 0,02 μm) empêche les défauts dans la lithographie ultraviolette extrême (EUV).
- Compatible avec les environnements sous vide ­ Pas de dégazage, assurant des transferts propres dans la fabrication de puces haut de gamme.

✔ Processus haute température
- Fours diffusion et recuit
- Implantation ionique résistante aux rayonnements, conservant l'intégrité structurelle sous bombardement ionique.

✔ Gravure sec et humide
- Résistant aux acides (HF, HNO3) et au plasma
- Aucune contamination métallique. Critical pour la production de FinFET et NAND 3D.

2Électronique de puissance (traitement des plaquettes SiC/GaN)
✔ Epitaxie SiC
- La correspondance de l'expansion thermique (CTE = 4.3×10−6/K) empêche la déformation des plaquettes dans les réacteurs MOCVD plus de 1500 °C.
- Non réactifs avec les gaz de procédé (SiH4, NH3, HCl).

✔ Dispositifs GaN-sur-SiC
- Une rigidité élevée (420 GPa) réduit au minimum les désalignements induits par les vibrations.
- isolant électrique (106 ̊108 Ω·cm) pour la manipulation des RF et des appareils de puissance.

3Production photovoltaïque et LED
✔ Cellules solaires pellicule mince
- Résistant la corrosion dans les environnements de dépôt CdTe et CIGS.
- Une faible expansion thermique assure la stabilité dans le traitement thermique rapide (RTP).

✔ Transfert mini/micro-LED
- Manipulation douce des plaquettes fragiles Evite les micro-fissures dans les épi-plaquettes d'une épaisseur < 50 μm.
- Compatible avec les salles blanches: zéro écoulement de particules (conforme la norme SEMI F57).

4. MEMS et emballage avancé
✔ Intégration de circuits intégrés 3D
- Placement précis des chiplets avec une précision d'alignement < 1 μm.
- Non-magnétique Safe pour les appareils MEMS sensibles aux aimants.

✔ Emballage l'échelle des galettes
- Résistant au flux et aux vapeurs de soudure

5Applications industrielles et de recherche

• ### **✔ Robotique sous vide (AMHS)

- Remplace l'aluminium dans les systèmes automatisés de manutention de matériaux (AMHS) pour les usines de 300 mm.
- **Légère (3,21 g/cm3) ** mais rigide, permettant des transferts grande vitesse.

### **✔ Recherche en informatique quantique
- ** Compatibilité cryogénique** (~ 200°C) pour le traitement des qubits supraconducteurs.
- Les variantes non conductrices empêchent les interférences avec les appareils électroniques sensibles.

Questions fréquentes

Q1: Pourquoi choisir le SiC plutôt que l'aluminium ou le quartz?
- L'aluminium: génère des particules et s'oxyde dans des environnements difficiles.- Quartz: fragile et thermiquement instable par rapport au SiC.

Q2: Les effecteurs extrémité SiC peuvent-ils gérer des plaquettes de 450 mm?
Oui, avec des dessins sur mesure

Quatrième question:Des options de personnalisation?

- Géométrie: dessins plats, alignés sur des encoches ou qui saisissent les bords.
- revêtements: couches antirefletrices ou hydrophobes.