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Porteur de bateau en céramique SiC personnalisé pour la manutention des gaufres
Le porte-bateaux en céramique au carbure de silicium (SiC)
personnalisé est une solution de manutention de wafer haute
performance conçue pour les processus de fabrication de
semi-conducteurs, de photovoltaïque et de LED.Conçus pour la
stabilité haute température, résistance aux produits chimiques et
contamination ultra-faible, ce support assure un transport sûr et
efficace des plaquettes dans des environnements exigeants tels que
les fours de diffusion et les chambres d'oxydation.
Principaux avantages du bateau en céramique SiC
Haute stabilité thermique: résiste des températures allant jusqu' 1 600°C sans déformation.
Inerté chimique ️ Résiste l'érosion des acides, des alcalis et du
plasma, assurant une durabilité long terme.
Génération de particules de faible intensité
Conception personnalisable adaptée la taille de la gaufre,
l'emplacement des fentes et aux exigences de manutention
Idéal pour les usines de semi-conducteurs, la production de MEMS et le traitement des semi-conducteurs composés
Spécification
Contenu en carbure de silicium | - | % | > 995 |
Taille moyenne du grain | - | micron | 4 10 |
Densité en vrac | - | Poids en kg/dm^3 | > 3.14 |
Porosité apparente | - | Vol % | Le taux de dépôt5 |
Dureté de Vickers | HV0. Je vous en prie.5 | Poids de la pte | 2800 |
Module de rupture (3 points) | 20°C | MPa | 450 |
Résistance la compression | 20°C | MPa | 3900 |
Module d'élasticité | 20°C | GPA | 420 |
Dureté de la fracture | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Conductivité thermique | 20°C | Je suis désolé. | 160 |
Résistance électrique | 20°C | Ohm. centimètre | 10^6 10^8 |
Coefficient de dilatation thermique | a) (RT"800°C) | K^-1*10^-6 | 4.3 |
Température maximale d'application | Atmosphère oxydée | °C | 1600 |
Température maximale d'application | Atmosphère inerte | °C | 1950 |
Applications du bateau en céramique SiC
1. Fabrication de semi-conducteurs
✔ Fours de diffusion et de recuit
- Stabilité haute température: résiste 1 600 °C (oxydation) / 1 950
°C (inertie) sans déformation.
- Faible expansion thermique (4,3×10−6/K) ️ empêche la déformation
des plaquettes dans le traitement thermique rapide (RTP).
✔ Les maladies cardiovasculaires et l'épitaxie (croissance du
SiC/GaN)
- Résistance la corrosion par les gaz: inerte au SiH4, NH3, HCl et
autres précurseurs agressifs.
- Surface exempte de particules ️ Polissée (Ra < 0,2 μm) pour un
dépôt épitaxial exempt de défauts.
✔ Implantation ionique
- Résistant aux rayonnements: pas de dégradation sous bombardement
ionique haute énergie.
2. électronique de puissance (appareils SiC/GaN)
✔ Traitement des plaquettes SiC
- Matching CTE (4,3×10−6/K) ️ Réduit au minimum le stress dans une
croissance épitaxielle plus de 1 500 °C.
- Conductivité thermique élevée (160 W/m·K)
✔ Dispositifs GaN-sur-SiC
- Pas de contamination. Pas de dégagement d'ions métalliques par
rapport aux bateaux graphite.
3Production de panneaux solaires
✔ Les cellules solaires PERC et TOPCon
- Résistance la diffusion du POCl3
- Longue durée de vie: 5 10 ans contre 1 2 ans pour les bateaux en
quartz.
✔ L'énergie solaire film mince (CIGS/CdTe)
- Résistance la corrosion stable dans les processus de dépôt de
H2Se et de CdS.
4. LED et optoélectronique
✔ Épitaxie mini/micro-LED
- Conception de fente de précision
- Compatible avec les salles blanches.
5. Recherche et applications spécialisées
✔ Synthèse de matériaux haute température
- Aides la frittage (par exemple, B4C, AlN)
- Croissance cristalline (p. ex. Al2O3, ZnSe)
Questions fréquentes
Quatrième question:Quelles tailles de galettes sont prises en charge?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). La personnalisation est disponible sur demande.
Q2: Quel est le délai pour les conceptions personnalisées?
- Modèles standard: 4 6 semaines.
- entièrement personnalisé: 8 12 semaines (selon la complexité).