4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants
numéro de modèle:Plaquettes SiCOI
lieu d'origine:Chine
Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:2-4weeks
taille:4 pouces/6 pouces/8 pouces
Roughness de la surface:Ra<0.5nm
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Résumé deDes plaquettes SiCOI
4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants
Les plaquettes SICOI (Carbure de silicium sur isolant) représentent une technologie de substrat composite avancée fabriquée par des procédés Smart CutTM ou Bonding & Thinning. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Processus Smart CutTM: utilise l'implantation d'ions hydrogène, la liaison basse température et l'exfoliation de précision pour obtenir des couches de SiC ultra-minces (50 nm-20 μm) avec une uniformité d'épaisseur de ± 20 nm,idéal pour les hautes fréquences, les dispositifs faible perte. Processus de broyage + CMP: adapté aux exigences de film plus épais (200 nm des épaisseurs personnalisées) avec une uniformité de ± 100 nm, offrant une rentabilité pour les applications d'électronique de puissance. ZMSH fournit des films SiC conducteurs ou semi-isolateurs personnalisables,avec des options d'optimisation du recuit par implantation ionique ou d'amincissement/polissage direct pour répondre diverses exigences de performance et de coût.
Principales caractéristiques deDes plaquettes SiCOI
| Composant | Les biens immobiliers | Spécification | Norme de mesure |
| Film 4H-SiC | Structure cristalline | 4H-SiC monocristallin | Pour l'aéronef |
| Densité des défauts | < 103 cm−2 (délocalisations du filetage) | ||
| Roughness de surface (Ra) | < 0,5 nm | Mesure par AFM | |
| Résistivité de semi-isolation | > 106 Ω·cm | Le nombre d'heures de travail | |
| Plage de dopage de type N | 1016 1019 cm−3 | ||
| Conductivité thermique | > 300 W/m·K | ||
| Couche de SiO2 | Méthode de formation | Oxydation thermique | |
| Constante diélectrique (ε) | 3.9 | Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: | |
| Intensité du champ de rupture | > 10 MV/cm | ||
| Densité de piège d'interface | < 1011 cm-2eV-1 | ||
| Si Substrate | Expansion thermique (CTE) | - 3,5 × 10 - 6 °C | |
| Arche de gaufre (8 pouces) | < 50 μm | M1 du SEMI | |
| Stabilité la température | > 300°C | ||
| Performance intégrée | Support de la taille de la gaufre | Formats de 4 8 pouces |
Principales applications deDes plaquettes SiCOI
1électronique
Invertisseurs EV: Les MOSFET SiC sur des substrats SICOI fonctionnent 1200V avec des pertes de commutation 30% plus faibles, compatibles avec les systèmes de charge rapide 800V.
Les plaquettes SICOI avec couches isolantes AlN améliorent la dissipation de chaleur de 50%, ce qui prend en charge un emballage de module > 10 kW.
2. Radiocommunications et 5G
Amplificateurs de puissance ondes mm: les HEMT GaN sur SICOI semi-isolateur atteignent une sortie de 8 W/mm 28 GHz avec un rendement > 65%.
Antennes réseau de phases: faible perte diélectrique (tanδ<0,001) minimise l'atténuation du signal pour les communications par satellite.
3. L'informatique quantique et la détection
Spin Qubit Carriers: Les films SiC ultrafin (< 100 nm) fournissent des environnements faible bruit, allant au-del de 1 ms.
Capteurs MEMS haute température: fonctionnement stable 300 °C pour la surveillance des moteurs aérospatiaux.
4Électronique de consommation
IC recharge rapide: Les dispositifs GaN basés sur SICOI permettent une recharge > 200W avec une empreinte réduite de 40%.
Services de la ZMSH
En tant que fournisseur leader de substrats semi-conducteurs large bande passante, nous offrons un soutien technique de bout en bout, de la R&D la production en série:
• Développement sur mesure: Optimiser l'épaisseur de la pellicule SiC ( l'échelle nanométrique jusqu'aux microns), le dopage (de type N/P) et les couches isolantes (SiO2/AlN/Si3N4) selon les exigences du dispositif.
· Consultation des processus: recommander des solutions Smart CutTM (haute précision) ou Grinding+CMP (coût-efficacité) avec des données comparatives.
· Tests au niveau des plaquettes: analyse de l'état de l'interface, cartographie de la résistance thermique et validation de la fiabilité haute tension.
Questions et réponses
1. Q: Qu'est-ce que la galette SICOI?
R: La plaque SICOI (Silicon Carbide on Insulator) est un substrat
composite avancé intégrant un film monocristallin 4H-SiC avec une
couche isolante SiO2 sur une base silicium/saphir.permettant des
dispositifs haute puissance et RF avec des performances
thermiques/électriques supérieures.
2Q: Comment le SICOI se compare-t-il au SOI?
R: Le SICOI offre une conductivité thermique 5 fois plus élevée
(> 300 W/m·K) et une tension de rupture 3 fois plus élevée (>
8 MV/cm) que le SOI, ce qui le rend idéal pour l'électronique de
puissance 800V+ et les applications 5G mmWave.
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4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants
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