Sortie du transformateur FA2659-AL 0.5-8 W d'entraînement de porte couplée de transistor MOSFET/IGBT

Transformateur d'entraînement de porte de FA2659-AL circuits d'entraînement pour porte couplée de transistor MOSFET et d'IGBT

Description de produit :

Transformateur d'entraînement de porte conçu circuits d'entraînement pour porte de transistor MOSFET couplée par transformateur et d'IGBT

Caractéristique :

• Conçu circuits d'entraînement pour porte de transistor MOSFET couplée par transformateur et d'IGBT ; fréquence d'opération : 50 kilohertz 2 mégahertz.
• 2250 volts continu, une minute de primaires l'isolement secondaire
• Exige seulement 56 mm2 de l'espace de conseil.
• Ferrite matériel de noyau
• Étain-argent conforme de RoHS d'arrêts au-dessus d'étain au-dessus de nickel au-dessus de bronze de phos
• Mg du poids 700
• Température ambiante – 40°C +125°C
• Composant de température de stockage : – 40°C +125°C.
• Emballage de bande et de bobine : – 40°C +80°C
• Résistance ré-écoulements maximum de soudure de la chaleur aux trois 40 seconde
  +260°C, pièces refroidies la température ambiante entre les cycles
• Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (la vie illimitée de plancher <30°C/
  hygrométrie de 85%)
• Échecs temps (AJUSTEMENT)/temps moyen entre les pannes (moyennes des temps de bon fonctionnement)
  38 par milliard d'heures/26 315 789 heures, calculées par Telcordia SR-332
• Empaquetage de 175/7 bobine de ″ ; 750/13 ″ tournoient bande en plastique : 24 millimètres de large,
  0,4 millimètres d'épaisseur, 12 millimètres d'espacement de poche, 7,0 millimètres de profondeur de poche

1. L'inductance a mesuré 100 kilohertz, 0,1 Vrms, 0 CDA
2. l'inductance de fuite a mesuré 100 kilohertz, 0,1 Vrms avec les goupilles secondaires a court-circuité.
3. SRF a mesuré avec des bobines reliées en série utilisant un Agilent/HP 4192 ou l'équivalent.
4. gamme de température de fonctionnement −40°C +125°C.
5. caractéristiques électriques 25°C.

Transformateur d'entraînement de porte de FA2659-AL circuits d'entraînement pour porte couplée de transistor MOSFET et d'IGBT

Forme et dimensions :

Image de produit :

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