12H02TS conjuguent transistor MOSFET de la Manche de N commutent l'alimentation de l'énergie 20V non interruptible
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:12H02TS
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 12H02TS 20V N+N-Channel
Description
Le fossé avancé des utilisations 12H02TS
technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse porte
charge. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être
utilisés
formez un commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour un
centre serveur d'autre
applicatio
Application
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Ratings@Tj maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)
Soudure de ré-écoulement
Le choix de la méthode de chauffage peut être influencé par le
paquet en plastique de QFP). Si l'infrarouge ou le chauffage de
phase vapeur est employé
et le paquet n'est pas absolument sec (moins de 0,1% teneurs en eau
en poids), vaporisation d'un peu de
l'humidité dans eux peut causer la fissuration du corps en
plastique. Le préchauffage est nécessaire pour sécher la pte et
pour évaporer
lieur. Durée de préchauffage : 45 minutes 45 °C.
La soudure de ré-écoulement exige de la pte de soudure (une
suspension des particules fines de soudure, du flux et du lieur)
pour être appliquée au
panneau de circuit imprimé par l'impression, la polycopie ou la
pression-seringue d'écran distribuant avant le placement de paquet.
Plusieurs
les méthodes existent pour reflowing ; par exemple, convection ou
convection/chauffage infrarouge dans un type four de convoyeur.
Sortie
les temps (préchauffage, soudant et se refroidissant) varient entre
100 et 200 secondes selon la méthode de chauffage.
Température ambiante typique de crête de ré-écoulement de 215 au °C
270 selon le matériel de pte de soudure. La dessus-surface
la température des paquets si préférable d'être gardé en-dessous du
°C 245 pour profondément/grands paquets (paquets avec a
épaisseur 2,5 millimètres ou avec paquets épais mm3 du volume 350
soi-disant/grands). La température de dessus-surface du
paquets si préférable d'être gardé en-dessous du °C 260 pour
paquets minces/petits (paquets avec une épaisseur < 2,5
millimètres et a
volume < 350 soi-disant paquets minces mm3/petits).
Soudure de vague : La soudure simple conventionnelle de vague n'est
pas recommandée pour les dispositifs extérieurs (SMDs) de bti ou la
densité composante de printedhigh, car le pont et le non-mouillage
en soudure peuvent présenter des problèmes majeurs.
Soudure de manuel : Fixez le composant en soudant d'abord deux
avances diagonal-opposées d'extrémité. Employez une basse tension
(24 V oapplied la partie plate de l'avance. Le temps de contact
doit être limité 10 secondes jusqu' 300 °C. Whtool, toutes autres
avances peuvent être soudées dans une opération dans 2 5 secondes
entre 270 et 320 °C.
12H02TS conjuguent transistor MOSFET de la Manche de N commutent l'alimentation de l'énergie 20V non interruptible
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