Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:6G03S
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 6G03S 30V N+P-Channel

 

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 6G03S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

P-canal de N-canal

N-canal

VDS = 30V, ID =6.5A

RDS(DESSUS) < 16mΩ@ VGS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -7A

RDS(DESSUS) < 37mΩ @ VGS=-10V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bti

 

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
 
Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet la production
 
 
caractéristiques électriques de la Manche de 30V N+P-Channel EnhancemeN- et thermiques typiques (courbes)
 
Mots clés du produit:
China Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V supplier

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

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