Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
QM4803D N-ch et transistor MOSFET de P-canal
Description
Le WSF6012 est la plus haute performance
transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé avec l'extrémité
densité élevée de cellules, qui fournissent excellent
RDSON et porte facturent les la plupart de
applications synchrones de convertisseur de mle.
Le rassemblement WSF6012 le RoHS et le vert
Condition de produit, 100% EAS
garanti avec la pleine fiabilité de fonction
approuvé.
Caractéristiques
technologie élevée avancée de fossé de densité de cellules de z
charge superbe de porte de z basse
excellente CdV/dt baisse d'effet de z
z 100% EAS garanti
dispositif de vert de z disponible
Applications
- convertisseur synchrone de mle de Point-de-charge haute fréquence de z pour MB/NB/UMPC/VGA
- système d'alimentation de la mise en réseau DC-DC de z
- inverseur de contre-jour de z CCFL
Produit estival
Capacités absolues
Données thermiques
Caractéristiques électriques de N-canal (℃ TJ=25, sauf indication
contraire)
Caractéristiques garanties d'avalanche
Caractéristiques de diode
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 conseil
d'inch2 FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée
d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par la température de
jonction 150℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et
l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par
dissipation de puissance totale.
Caractéristiques électriques de P-canal (℃ TJ=25, sauf indication
contraire)
Caractéristiques garanties d'avalanche
Caractéristiques de diode
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 inch2
Panneau FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée
d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par des données de la
température de jonction 150℃ 4.The est théoriquement identique que
l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient
être limité par dissipation de puissance totale.
Caractéristiques typiques de N-canal
Caractéristiques typiques de P-canal
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
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