Circuit de transistor de D965 NPN, performance de transistor de puissance de NPN haute
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D965 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Amplificateur audio de Ÿ
Unité d'instantané de Ÿ de caméra
Circuit de commutation de Ÿ
REPÉRAGE
Code de D965=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage,
si aucun, le dispositif normal
Z=Rank de hFE, XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| D965 | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| D965-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Mètre de Para | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 42 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 22 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 5 | A |
| PD | Dissipation de puissance de collecteur | 750 | mW |
| R0 JA | Le courant ascendant résistent la jonction de ROM de l'ance f ambiant | 166,7 | Š/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | Š |
| Tstg | La température d'orage de St | -55 ~+150 | Š |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=0.1mA, C.--D. =0 | 42 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=1mA, IB=0 | 22 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=30V, C.--D. =0 | 0,1 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=6V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=2V, IC= 0,15 mA | 150 | |||
| hFE (2) | VCE= 2V, IC = 500 mA | 340 | 2000 | |||
| hFE (3) | VCE=2V, IC = 2A | 150 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=3000mA, IB=100 mA | 0,35 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz | 150 | Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | R | T | V |
| Gamme | 340-600 | 560-950 | 900-2000 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Circuit de transistor de D965 NPN, performance de transistor de puissance de NPN haute
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