Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A94 (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Gain actuel élevé de C.C de Ÿ et grande capacité actuelle
REPÉRAGE
Code de M28S=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage,
si aucun, le dispositif normal
Z=Rank de hFE, XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| M28S | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| M28S-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Mètre de Para | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 20 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 1 | A |
| PD | Dissipation de puissance de collecteur | 625 | mW |
| R0 JA | Le courant ascendant résistent la jonction de ROM de l'ance f ambiant | 200 | Š/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | Š |
| Tstg | Température de stockage | -55 ~+150 | Š |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC= 0.1mA, C.--D. =0 | 40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=1mA, IB=0 | 20 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. =0.1MA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=40V, C.--D. =0 | 1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=20V, IB=0 | 5 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=1V, IC=1mA | 290 | |||
| hFE (2) | VCE=1V, IC=100mA | 300 | 1000 | |||
| hFE (3) | VCE=10V, IC=300mA | 300 | ||||
| hFE (4) | VCE=1V, IC=500mA | 300 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=600mA, IB=20mA | 0,55 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=10V, C.--D. =50mA, f=30MHz | 100 | Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| RANG | B | C | D |
| GAMME | 300-550 | 500-700 | 650-1000 |
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW
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