Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:A92
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A92 (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Haute tension
REPÉRAGE
- Code d'A92=Device
- Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
- Z=Rank de hFE
- XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| A92 | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| A92-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unités |
| VCBO | Tension de collecteur-base | - 310 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | - 305 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | - 200 | mA |
| Missile aux performances améliorées | Courant de collecteur - pulsé | -500 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 625 | mW |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | La température d'orage de St | -55~150 | ℃ |
| RӨJA | Résistance thermique, jonction ambiant | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | Résistance thermique, jonction au cas | 83,3 | ℃ /mW |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100uA, C.--D. =0 | -310 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -305 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= -200 V C.--D. =0 | -0,25 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE= -10 V, IC=- 1 mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE= -10V, IC = -10 mA | 80 | 250 | |||
| hFE (3) | VCE= -10 V, IC= -80 mA | 60 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= -20 mA, IB= -2 mA | -0,2 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VSOYEZ (reposé) | IC= -20 mA, IB= -2 mA | -0,9 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE= -20 V, IC= -10 mA f = 30MHz | 50 | Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | A | B | C |
| Gamme | 80-100 | 100- 200 | 200-250 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +
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