Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:3DD13002B
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13002B (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Applications de commutation de puissance
REPÉRAGE
code 13002B=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| 3DD13002B | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| 3DD13002B-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 600 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 0,8 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 0,9 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55 | 150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum |
Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=100μA, C.--D. =0 | 600 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 600V, C.--D. =0 | 100 | µA | ||
| ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 100 | µA | |||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 100 | µA | ||
Gain urrent de C.C c | hFE1 | VCE= 10 V, IC=200mA | 9 | 40 | ||
| hFE2 | VCE= 10 V, IC=0.25mA | 5 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=200mA, IB=40mA | 0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=200mA, IB=40mA | 1,1 | V | ||
Fréquence de transition |
fT | VCE=10V, IC=100mA f =1MHz |
5 |
Mégahertz | ||
| Temps de chute | tf |
IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Temps d'entreposage | ts | 2,5 | µs |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Gamme | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble du paquet TO-92
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| Φ | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse
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