Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:3DD13003
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13003 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Applications de commutation de puissance
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 700 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 9 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 1,5 | A |
| PC | Dissipation de collecteur | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Jonction et température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 700V, C.--D. =0 | 1 | mA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0,5 | mA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | mA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Tension d'émetteur de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Fréquence de transition |
pi | VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Mégahertz | ||
| Temps de chute | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Temps d'entreposage | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASSIFICATION de hFE1
| Rang | |||||||
| Gamme | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASSIFICATION des solides totaux
| Rang | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Gamme | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble du paquet TO-92
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minimal. | Maximum. | Minimal. | Maximum. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 1,050 | 1,350 | 0,042 | 0,054 |
| B | 1,350 | 1,650 | 0,053 | 0,065 |
| b | 0,500 | 0,700 | 0,020 | 0,028 |
| b1 | 0,700 | 0,900 | 0,028 | 0,035 |
| c | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| c1 | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| D | 6,350 | 6,650 | 0,250 | 0,262 |
| D1 | 5,200 | 5,400 | 0,205 | 0,213 |
| E | 5,400 | 5,700 | 0,213 | 0,224 |
| e | 2,300 TYPE. | 0,091 TYPES. | ||
| e1 | 4,500 | 4,700 | 0,177 | 0,185 |
| L | 7,500 | 7,900 | 0,295 | 0,311 |
Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce
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