circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N3906 (NPN).
CARACTÉRISTIQUE
Transistor planaire épitaxial de silicium de Ÿ PNP pour le changement et les applications d'amplificateur
Ÿ en tant que type complémentaire, le transistor 2N3904 de NPN est recommandé
Ce transistor de Ÿ est également disponible dans le cas SOT-23 avec le type la désignation MMBT3906
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25ć sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -40 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Collecteur Actuel-continu | -0,2 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 0,625 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ć |
| Tstg | Température de stockage | -55~150 | ć |
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = -10ΜA, C.--D. =0 | -40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC =-1MA, IB=0 | -40 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = -10ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= -40 V, C.--D. =0 | -0,1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEX | VCE= -30 V, Veb() =-3V | -50 | Na | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE1 | VCE=-1 V, IC= -10MA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=-1 V, IC= -50MA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=-2 V, IC= -100MA | 30 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= -50MA, IB= -5MA | -0,4 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= -50MA, IB= -5MA | -0,95 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=-20V, IC= -10MA f = 100MHz | 250 | Mégahertz | ||
| Temps de retard | le TD | VCC=-3V, VBE=-0.5V, IC=-10mA, IB1=-1mA | 35 | NS | ||
| Temps de montée | TR | 35 | NS | |||
| Temps d'entreposage | solides totaux | VCC=-3V, Ic=-10mA IB1=IB2=-1mA | 225 | NS | ||
| Temps de chute | tf | 75 | NS |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Disposition de protection suggérée par TO-92
TO-92 7DSH DQG 5HHO
circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile
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