température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N3904 (NPN).
CARACTÉRISTIQUE
Transistor planaire épitaxial de silicium de Ÿ NPN pour le changement et les applications d'amplificateur
Ÿ en tant que type complémentaire, le transistor 2N3906 de PNP est recommandé
Ce transistor de Ÿ est également disponible dans le cas SOT-23 avec le type la désignation MMBT3904
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| 2N3904 | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| 2N3904-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 60 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 40 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 0,2 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 0,625 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | Š |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | Š |
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=10ΜA, C.--D. =0 | 60 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= 1mA, IB=0 | 40 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=60V, C.--D. =0 | 0,1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEX | VCE=30V, Veb() =3V | 0,05 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE1 | VCE=1V, IC=10mA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=1V, IC=50mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=1V, IC=100mA | 30 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=50mA, IB=5mA | 0,3 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=50mA, IB=5mA | 0,95 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz | 300 | MHZ | ||
| Temps de retard | td | VCC=3V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1mA | 35 | NS | ||
| Temps de montée | tr | 35 | NS | |||
| Temps d'entreposage | ts | VCC=3V, IC=10mA IB1=IB2=1mA | 200 | NS | ||
| Temps de chute | tf | 50 | NS |
CLASSIFICATION de hFE1
| Rang | O | Y | G |
| Nge de Ra | 100-200 | 200-300 | 300-400 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Disposition de protection suggérée par TO-92
TO-92 7DSH DQG 5HHO
température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904
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