Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Commutation vitesse réduite
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | -3 | A |
| PC | Dissipation de collecteur | 1,25 | W |
| RӨJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 100 | ℃/W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
ESTIMATIONS d'AXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | Ic=-100μA, C.--D. =0 | -40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-10mA, IB=0 | -30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. =-100 μA, IC=0 | -6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-40 V, C.--D. =0 | -1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-30 V IB=0 | -10 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=-2V, IC=-1A | 60 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-2V, IC=-100mA | 32 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-2A, IB=-0.2A | -0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-2A, IB=-0.2A | -1,5 | V | ||
Fréquence de transition | pi | VCE=-5V, IC=-0.1A f=10MHz |
50 |
Mégahertz |
CLASSIFICATION du hFE (1)
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minimal. | Maximum. | Minimal. | Maximum. | |
| A | -- | 1,800 | -- | 0,071 |
| A1 | 0,020 | 0,100 | 0,001 | 0,004 |
| A2 | 1,500 | 1,700 | 0,059 | 0,067 |
| b | 0,660 | 0,840 | 0,026 | 0,033 |
| b1 | 2,900 | 3,100 | 0,114 | 0,122 |
| c | 0,230 | 0,350 | 0,009 | 0,014 |
| D | 6,300 | 6,700 | 0,248 | 0,264 |
| E | 6,700 | 7,300 | 0,264 | 0,287 |
| E1 | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| e | 2,300 (BSC) | 0,091 (BSC) | ||
| L | 0,750 | -- | 0,030 | -- |
| θ | 0° | 10° | 0° | 10° |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Bande et bobine de SOT-89-3L
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
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