Les transistors de puissance d'astuce de MMBT4401 SOT-23 jeûnent la tension basse 6 V d'émetteur de commutation
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors FMMT491
(NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Transistor de commutation
Repérage : 2X
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 60 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 40 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur | 600 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 300 | mW |
| RΘJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 417 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=100μA, C.--D. =0 | 60 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=1mA, IB=0 | 40 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. =100ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=50V, C.--D. =0 | 0,1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEX | VCE=35V, VEB=0.4V | 0,1 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE1 | VCE=1V, IC=0.1mA | 20 | |||
| hFE2 | VCE=1V, IC=1mA | 40 | ||||
| hFE3 | VCE=1V, IC=10mA | 80 | ||||
| hFE4 | VCE=1V, IC=150mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | VCE=2V, IC=500mA | 40 | ||||
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) | IC=150mA, IB=15mA | 0,4 | V | ||
| IC=500mA, IB=50mA | 0,75 | V | ||||
Tension de saturation d'émetteur de base |
VBE (reposé) | IC=150mA, IB=15mA | 0,95 | V | ||
| IC=500mA, IB=50mA | 1,2 | V | ||||
| Fréquence de transition | fT | VCE=10V, IC=20mA, f =100MHz | 250 | Mégahertz | ||
| Temps de retard | td | VCC=30V, VBE () =-2V IC=150mA, IB1=15mA | 15 | NS | ||
| Temps de montée | tr | 20 | NS | |||
| Temps d'entreposage | ts | VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA | 225 | NS | ||
| Temps de chute | tf | 60 | NS |
Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir
cycle≤2%.
Characterisitics typique
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Les transistors de puissance d'astuce de MMBT4401 SOT-23 jeûnent la tension basse 6 V d'émetteur de commutation
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