2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2SA1015 (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Dissipation de puissance de Ÿ
REPÉRAGE
Code d'A1015=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
Y=Rank de hFE, XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| 2SA1015 | TO-92 | Le volume | 10000 |
| 2SA1015-TA | TO-92 | Bande | 2000 |
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25Š sauf indication contraire)
| Symbole | Mètre de Para | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -50 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -50 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | -150 | mA |
| PD | Dissipation de puissance de collecteur | 400 | mW |
| R0 JA | Le courant ascendant résistent l'ance de la jonction ambiant | 312 | Š/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | Š |
| Tstg | La température d'orage de St | -55 ~+150 | Š |
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC= -100ΜA, C.--D. =0 | -50 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= -0.1MA, IB=0 | -50 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = -100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= -50V, C.--D. =0 | -0,1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= -50V, IB=0 | -0,1 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= -5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= -6V, IC= -2MA | 70 | 700 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= -100MA, IB= -10MA | -0,3 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= -100MA, IB= -10MA | -1,1 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz | 80 | Mégahertz | ||
| Capacité de sortie de collecteur | Épi | VCB=-10V, C.--D. =0, f=1MHz | 7 | PF | ||
| Chiffre de bruit | N-F | VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK | 6 | DB |
CLASSIFICATION de hFE1
| Rang | O | Y | LE GR | BL |
| Gamme | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Disposition de protection suggérée par TO-92
TO-92 7DSH DQG 5HHO
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