Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:B772M
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772M (PNP)
CARACTÉRISTIQUES
Commutation vitesse réduite
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | -3 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W |
| RӨJA | Résistance thermique, jonction ambiant | 100 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, C.--D. =0 | -40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= -40V, C.--D. =0 | -1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
Fréquence de transition | pi | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minimal. | Maximum. | Minimal. | Maximum. | |
| A | 2,200 | 2,380 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| B | 0,800 | 1,400 | 0,031 | 0,055 |
| b | 0,710 | 0,810 | 0,028 | 0,032 |
| c | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| c1 | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
| D1 | 5,130 | 5,460 | 0,202 | 0,215 |
| E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
| e | 2,286 TYPE. | 0,090 TYPES. | ||
| e1 | 4,327 | 4,727 | 0,170 | 0,186 |
| M | 1.778REF. | 0.070REF. | ||
| N | 0.762REF. | 0.018REF. | ||
| L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
| L1 | 2.9REF. | 0.114REF. | ||
| L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
| V | 4,830 Réf. | 0,190 Réf. | ||
| ĭ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0.0±1 |
Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
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