plastique des transistors de puissance d'astuce de 1.25W NPN D882 TO-251-3L - transistors encapsulés
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur:
dans 14 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Dissipation de puissance
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 3 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, C.--D. =0 | 40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 40 V, C.--D. =0 | 1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
Fréquence de transition |
fT | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
plastique des transistors de puissance d'astuce de 1.25W NPN D882 TO-251-3L - transistors encapsulés
Inquiry Cart
0