Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Dissipation de puissance
REPÉRAGE
Code de D882=Device
Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| D882 | TO-126 | Le volume | 200pcs/Bag |
| D882-TU | TO-126 | Tube | 60pcs/Tube |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 3 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, C.--D. =0 | 40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 40 V, C.--D. =0 | 1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
Fréquence de transition |
fT | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
| A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2,290 TYPE | 0,090 TYPES | ||
| e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v
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