B772 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772 (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Commutation vitesse réduite
REPÉRAGE
Code de B772=Device
Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| B772 | TO-126 | Le volume | 200pcs/Bag |
| B772-TU | TO-126 | Tube | 60pcs/Tube |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | -3 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W |
| RӨJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 100 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, C.--D. =0 | -40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= -40V, C.--D. =0 | -1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
Fréquence de transition | pi | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Mégahertz |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
B772 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP
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