Transistor à forte intensité d'A92 NPN, transistor de silicium de la puissance élevée NPN
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A92 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
Tension claque élevée
Repérage : A92
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -310 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -305 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur continu | -200 | mA |
| Missile aux performances améliorées | Courant de collecteur - pulsé | -500 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 500 | mW |
| RθJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 250 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, C.--D. =0 | -310 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -305 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-200V, C.--D. =0 | -0,25 | µA | ||
ICEO | VCE=-200V, IB=0 | -0,25 | µA | |||
| VCE=-300V, IB=0 | -5 | µA | ||||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=-10V, IC=-1mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-80mA | 60 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-20mA, IB=-2mA | -0,2 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-20mA, IB=-2mA | -0,9 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Mégahertz |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 Réf. | 0,061 Réf. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TYPE. | 0,060 TYPES. | ||
| e1 | 3,000 TYPE. | 0,118 TYPES. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Bande et bobine de SOT-89-3L
Transistor à forte intensité d'A92 NPN, transistor de silicium de la puissance élevée NPN
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