Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBTA55 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
l transistors de conducteur
Repérage : 2H
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -60 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -60 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -4 | V |
| IC | Courant de collecteur | -500 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 225 | mW |
| RΘJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 556 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, IE=0 | -60 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -60 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | IE=-100ΜA, IC=0 | -4 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-60V, IE=0 | -0,1 | µA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-60V, IB=0 | -0,1 | µA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-1V, IC=-100mA | 100 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-100mA, IB=-10mA | -0,25 | V | ||
| Tension d'émetteur de base | VBE | VCE=-1V, IC=-100mA | -1,2 | V | ||
| Fréquence de transition | pi | VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz | 50 | Mégahertz |
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23
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