Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:2SD965A
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent les transistors 2SD965A 2SD965A
CARACTÉRISTIQUE
- Amplificateur audio
- Unité instantanée de caméra
- Circuit de commutation
Repérage : D965A
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -60 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -60 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -4 | V |
| IC | Courant de collecteur | -500 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 225 | mW |
| RΘJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 556 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=0.1mA, C.--D. =0 | 40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= 1mA. IB=0 | 30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.--D. = 10μA, IC=0 | 7 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 10V, C.--D. =0 | 0,1 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=7V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE= 2 V, IC=1mA | 200 | |||
| hFE (2) | VCE= 2V, IC = 500mA | 230 | 800 | |||
| hFE (3) | VCE= 2V, IC =2A | 150 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=3A, IB=0.1A | 1 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=6V, IC=50mA | 150 | Mégahertz | ||
| Capacité | Épi | VCB=20 V, C.--D. =0, f=1MHZ | 50 | PF |
CLASSIFICATION DEFede h(2)
| Rang | Q | R | S |
| Gamme | 230-380 | 340-600 | 560-800 |
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Bande et bobine de SOT-89-3L
Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA
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