A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

Point d'origine:Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs

Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte

Délai de livraison:1 - 2 semaines

Conditions de paiement:L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Shenzhen Guangdong China

Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

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Détails du produit

SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A42 (NPN)

CARACTÉRISTIQUE

Basse tension de saturation de collecteur-émetteur

Tension claque élevée

Repérage : D965A

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	310	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	305	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
I_C	Courant de collecteur - continu	200	mA
Missile aux performances améliorées	Courant de collecteur - pulsé	500	mA
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	500	mW
RθJA	Résistance thermique de jonction ambiant	250	℃/W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=100ΜA, C.--D. =0	310			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=1mA, I_B=0	305			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.--D. =100ΜA, I_C=0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=200V, C.--D. =0			0,25	µA
	ICEX	V_CE=100V, V_X=5V			5	µA
		V_CE=300V, V_X=5V			10	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=10V, I_C=1mA	60
	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=10mA	100		300
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=30mA	75
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,2	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,9	V
Fréquence de transition	f_T	VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz	50			Mégahertz

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	1,400	1,600	0,055	0,063
b	0,320	0,520	0,013	0,020
b1	0,400	0,580	0,016	0,023
c	0,350	0,440	0,014	0,017
D	4,400	4,600	0,173	0,181
D1	1,550 Réf.		0,061 Réf.
E	2,300	2,600	0,091	0,102
E1	3,940	4,250	0,155	0,167
e	1,500 TYPE.		0,060 TYPES.
e1	3,000 TYPE.		0,118 TYPES.
L	0,900	1,200	0,035	0,047

Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L

Bande et bobine de SOT-89-3L

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