MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur:
dans 14 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes
CARACTÉRISTIQUES
- Basse fuite
- Conductibilité élevée
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VR | Tension de blocage de C.C | 200 | V |
| E/S | Courant en avant continu | 200 | mA |
| IFM | Courant en avant maximal | 700 | mA |
| IFSM | Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @t=8.3ms | 2,0 | A |
| Palladium | Dissipation de puissance | 350 | mW |
| RθJA | Résistance thermique de jonction ambiant | 357 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tun =25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension inverse | V (BR) | IR=5μA | 200 | V | ||
| Courant inverse | IR | VR=180V | 10 | Na | ||
Tension en avant |
VF | IF=1mA | 0,75 |
V | ||
| IF=10mA | 0,85 | |||||
| IF=50mA | 0,95 | |||||
| IF=100mA | 1,1 | |||||
| IF=200mA | 1,3 | |||||
| IF=300mA | 1,5 | |||||
| Capacité totale | Ctot | VR=0V, f=1MHz | 4 | PF |
Dimensions d'ensemble du paquet SOT-23
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation
Inquiry Cart
0