Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
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Détails du produit
60V N-canal AlphaSGT HXY4266
Résumé de produit
| VDS | 60V |
| Identification ( VGS=10V) | 11A |
| Le RDS (DESSUS) ( VGS=10V) | < 13=""> |
| Le RDS (DESSUS) ( VGS=4.5V) | < 18m=""> |
Description générale
• Le bas RDS (DESSUS)
• Commande de niveau de porte de logique
• Excellent produit de la charge X le RDS de porte (DESSUS) (FOM)
• RoHS et conforme sans halogène
Applications
• Commutation haute fréquence et rectification synchrone
Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)
A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.
la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.
B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction--ambiante du ≤ 10s.
C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder
initialT =25°C.
D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et mener ambiant.
E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>
F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction--ambiante avec laquelle est mesuré avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4
2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.
G. Le coefficient d'utilisation de transitoire 5% maximum, limité par la température de jonction TJ (max) =125°C.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v
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