FR301 PAR le transistor MOSFET de mode de l'amélioration FR307, transistor MOSFET à haute tension de puissance
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur:
dans 14 heures
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FR301 PAR FR307 JEÛNENT tension inverse de REDRESSEURS de RÉCUPÉRATION - 50 1000 volts de courant en avant - 3,0 ampères
CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Commutation rapide pour le rendement élevé
Basse fuite inverse
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure hautes températures garantie :
250 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : Corps en plastique moulé par DO-201AD de JEDEC
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,04 onces, 1,10 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication
contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou
inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de
20%.
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction ambiant 0,375" longueur
d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
FR301 PAR le transistor MOSFET de mode de l'amélioration FR307, transistor MOSFET à haute tension de puissance
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