RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur: dans 14 heures
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RS3A PAR LE REDRESSEUR DU BTI FASTRE COVERY DE SURFACE DE RS3M


 

CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
 
 
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC au-dessus de puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0.003ounce, 0.093grams
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction ambiant 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
 
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RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

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