RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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RS2A PAR LE BTI de SURFACE de RS2M JEÛNENT tension inverse de REDRESSEUR de RÉCUPÉRATION - 50 1000 volts de courant en avant -2,0 ampères
CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC au-dessus de
puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication
contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou
inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de
20%.
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction ambiant 0,375" longueur
d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
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RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07
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