Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:Rs1a
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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RS1A PAR LE BTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
 
 
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
RS1A PAR LE BTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-201AD de JEDEC
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction ambiant 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
 
 
Mots clés du produit:
China Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m supplier

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti extérieur de Rs1m

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