Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Détails du produit
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Détails du produit
TO-126 Plastique-encapsulent des transistors
Transistor de TIP122 Darlington (NPN)
Transistor de TIP127 Darlington (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Transistors complémentaires de silicium de puissance moyenne
TO-126
1. ÉMETTEUR
2. COLLECTEUR
3. BASE
REPÉRAGE
TIP122, code de TIP127=Device
Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code
Circuit équivalent
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| TIP122 | TO-126 | Le volume | 200pcs/Bag |
| TIP127 | TO-126 | Le volume | 200pcs/Bag |
| TIP122-TU | TO-126 | Tube | 60pcs/Tube |
| TIP127-TU | TO-126 | Tube | 60pcs/Tube |
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | TIP122 | TIP127 | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 100 | -100 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 100 | -100 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 5 | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 5 | -5 | A |
| PC * | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W | |
| RθJA | Jonction de résistance thermique ambiant | 100 | ℃/W | |
| RθJc | Jonction de résistance thermique au cas | 8,33 | ℃/W | |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ | |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ | |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Merci =25 Š sauf indication contraire
| TIP122 NPN | |||||
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=1mA, C.--D. =0 | 100 | V | |
| Tension claque de collecteur-émetteur | VPRÉSIDENT (SUS) | IC=30mA, IB=0 | 100 | V | |
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=100V, C.--D. =0 | 0,2 | mA | |
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=50 V, IB=0 | 0,5 | mA | |
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=5 V, IC=0 | 2 | mA | |
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE= 3V, IC=0.5A | 1000 | ||
| hFE (2) | VCE= 3V, IC=3 A | 1000 | 12000 | ||
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) | IC=3A, IB=12mA | 2 |
V | |
| IC=5 A, IB=20mA | 4 | ||||
| Tension d'émetteur de base | VBE | VCE=3V, IC=3 A | 2,5 | V | |
| Capacité de sortie | Épi | VCB=10V, C.--D. =0, f=0.1MHz | 200 | PF | |
| TIP127 PNP | |||||
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-1mA, C.--D. =0 | -100 | V | |
| Tension claque de collecteur-émetteur | VPRÉSIDENT (SUS) | IC=-30mA, IB=0 | -100 | V | |
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-100V, C.--D. =0 | -0,2 | mA | |
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-50 V, IB=0 | -0,5 | mA | |
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-5 V, IC=0 | -2 | mA | |
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=-3V, IC=-0.5A | 1000 | ||
| hFE (2) | VCE=-3V, IC=-3A | 1000 | 12000 | ||
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) | IC=-3A, IB=-12mA | -2 |
V | |
| IC=-5 A, IB=-20mA | -4 | ||||
| Tension d'émetteur de base | VBE | VCE=-3V, IC=-3 A | -2,5 | V | |
| Capacité de sortie | Épi | VCB=-10V, C.--D. =0, f=0.1MHz | 300 | PF | |
* cet essai est réalisé sans le radiateur Ta=25℃.
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble du paquet TO-126
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
| A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2,290 TYPE | 0,090 TYPES | ||
| e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127
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