Transistor à effet de champ TIP112, transistor à haute fréquence

Point d'origine:Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs

Détails d'emballage:Enfermé dans une boîte

Délai de livraison:1 - 2 semaines

Conditions de paiement:L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Shenzhen Guangdong China

Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

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TO-220-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors TIP112 DARLINGTON (NPN)

CARACTÉRISTIQUE

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	100	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	100	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
I_C	Courant de collecteur - continu	2	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	2	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55 +150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=10mA, C.--D. =0	100			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=30mA, I_B=0 ^(SUS)	100			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.--D. =10MA, I_C=0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE=50V, I_B=0			2	mA
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=100V, C.--D. =0			1	mA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			2	mA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=4V, I_C=1A	1000		12000
Gain actuel de C.C	hFE (2)	V_CE=4V, I_C=2A	500
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=2A, I_B=8mA			2,5	V
Tension d'émetteur de base	VBE	V_CE=4V, I_C=2A			2,8	V
Capacité de sortie de collecteur	Épi	V_CB=10V, C.--D. =0, f=0.1MHz			100	PF

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	4,470	4,670	0,176	0,184
A1	2,520	2,820	0,099	0,111
b	0,710	0,910	0,028	0,036
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,310	0,530	0,012	0,021
c1	1,170	1,370	0,046	0,054
D	10,010	10,310	0,394	0,406
E	8,500	8,900	0,335	0,350
E1	12,060	12,460	0,475	0,491
e	2,540 TYPE		0,100 TYPES
e1	4,980	5,180	0,196	0,204
F	2,590	2,890	0,102	0,114
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	13,400	13,800	0,528	0,543
L1	3,560	3,960	0,140	0,156
Φ	3,735	3,935	0,147	0,155

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