2N60 2A, TRANSISTOR MOSFET de la PUISSANCE 600VN-CHANNEL
Numéro de type:2N60
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Transistor MOSFET de la puissance 2N60-TC3
2A, TRANSISTOR MOSFET de PUISSANCE du N-CANAL 600V
DESCRIPTION
L'UTC 2N60-TC3 est un transistor MOSFET haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, basse résistance de sur-état et pour avoir des caractéristiques rocailleuses élevées d'une avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications grande vitesse de commutation dans des contrôles d'alimentations d'énergie, de moteur de PWM, Efficace élevé des convertisseurs continu-continu Et des montages en pont.
CARACTÉRISTIQUES
LE RDS (DESSUS) < 7="">
Vitesse de commutation élevée
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de commande | Paquet | Tche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
| 2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tube |
| 2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Tube |
Note : Tche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
QW-R205-461.A
CAPACITÉS ABSOLUES de n (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ± 30 | V | |
| Vidangez le courant | Continu | ID | 2 | A |
| Pulsé (note 2) | IDM | 4 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 84 | MJ |
| Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Dissipation de puissance | TO-220F/TO-220F1 | PD | 23 | W |
| TO-251 | 44 | W | ||
| La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au del dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
DONNÉES de COURANT ASCENDANT de n
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Jonction ambiant | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-251 | 100 | °C/W | ||
| Jonction au cas | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
| TO-251 | 2,87 | °C/W | ||
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de n (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 | V | |||
| Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | µA | |||
| Courant de fuite de Porte-source | En avant | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverse | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=1.0A | 7,0 | Ω | |||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 mégahertz | 190 | PF | |||
| Capacité de sortie | COSS | 28 | PF | ||||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 2 | PF | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Charge totale de porte (note 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (note 1, 2) | 7 | OR | |||
| Charge de Gateource | QGS | 2,9 | OR | ||||
| Charge de Porte-drain | QGD | 1,9 | OR | ||||
| Temps de retard d'ouverture (note 1) | le TD (DESSUS) |
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (note 1, 2) | 4 | NS | |||
| Temps de montée | tR | 16 | NS | ||||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 16 | NS | ||||
| Chute-Time | tF | 19 | NS | ||||
| ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN DE SOURCE | |||||||
| Courant continu de Corps-diode maximum | IS | 2 | A | ||||
| La Corps-diode maximum a palpité courant | ISM | 8 | A | ||||
| Tension en avant de diode de Drain-source (note 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A | 1,4 | V | |||
| Temps de rétablissement inverse (note 1) | trr | VGS=0V, IS=2.0A, DiF/dt=100A/µs (Note1) | 232 | NS | |||
| Charge inverse de récupération | Qrr | 1,1 | µC | ||||
Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
- Essentiellement indépendant de température de fonctionnement.
2N60 2A, TRANSISTOR MOSFET de la PUISSANCE 600VN-CHANNEL
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